안녕하세요. 저는 플라즈마 공정 관련 일을 하고 있습니다. 플라즈마 공정으로 인한 substrate의 charing문제로


두 가지 질문이 있어 글을 게시하게 되었습니다.


첫째는

O2만 넣고 플라즈마 했을 때  / H2만 넣고 플라즈마 처리를 했을 때

 대상 substrate의 대전된 양의 정도가 H2만 넣었을 때가 더 심한 것으로 보입니다.(검증은 하지 못했음)

그래서 플라즈마 공정 中 측정되는 Vdc 값에 주목을 하였는데, H2만 넣었을 때 MFC에서 공급 된 유량도 더 적게하고

RF power도 더 적게해도 Vdc값이 O2 only보다 굉장히 높게 뜹니다. 제가 알기로는 Vdc값은 기판에서 형성 된 전위에 의해

측정되는 값으로 알고 있습니다. 여기서 O2 only plasma보다 H2 only plasma의 Vdc값이 현저히 높다는 것은

기판에 대전 된 전하의 양이 더 많다고 생각할 수 있을지에 대하여 문의드리려고 합니다.


둘째는

플라즈마 공정이 끝나고 substrate의 charing정도를 측정하는 기술과 설비들이 있는지가 궁금합니다.


관련내용에 대해 조언 부탁드립니다. 감사합니다 김곤호 교수님.


-플라즈마종사자 드림-

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