Etch ICP와 CCP의 차이

2017.08.22 16:56

베컴 조회 수:10416

안녕하세요?


플라즈마 관련 업체 현업에 종사하고 있습니다.


플라즈마 에쳐장비에서 궁금한점이 몇가지 있어 이렇게 문의 드립니다.


1.에칭하려는 물질에 따라서 달라지겠지만, 현재 에쳐장비의 흐름이 CCP에서 ICP로 옮겨가며, 하이브리드로 사용할려고 하는듯 합니다. 이는 이온의 물리적 에칭보다는 라디칼의 화학적 에칭에 더 중점을 두고 변화하는것이 아닌지요?

(물론 기본적으로 이온의 물리적 에칭이 중요하겠지만, 예를 들면 이온의 물리적 에칭으로 웨이퍼의 구조적 손상문제를 야기하는등 CCP의 한계가 있다고 판단되어서요....전자밀도와 라디칼 분포가 큰 ICP를 선호하는게 아닌가 해서요....)


2. 셀프자기바이어스가 커짐에 따라서, 이온의 식각률이 증가한다고 알고 있습니다. 기본적인 질문이지만, 주파수와 셀프자기바이스간의 관계가 궁금합니다. 수학적으로 판단하기에는 주파수가 커짐에 셀프자기바이어스가 작아진다고 알고있습니다.


3. 전자온도분포함수와 이온에너지분포함수간의 상호 연관성이 있는지요?

(제가 생각하기에는 전자온도가 이온에너지보다 대략 5배정도 크니 단순하게 생각해서...전자에너지분포함수와 이온에너지분포함수간에는 비례관계가 있을듯 합니다.)


답변부탁드립니다.


감사드립니다.

축복이 가득하길 바라겠습니다.

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