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[필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내
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Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법
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개인정보 노출 주의 부탁드립니다.
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kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수
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질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
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RPG Cleaning에 관한 질문입니다.
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리모트 플라스마 소스 AK 부품 수출 관련 질문 입니다 반도체 장비 부풉ㅁ
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안녕하세요 ICP dry etching 관련 질문사항드립니다!
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PEALD관련 질문
[1] | 32172 |
473 |
N2 Plasma 상태에 대해서 질문 드립니다.
[1] | 1896 |
472 |
dry etching중 온도, 진공도, glass상태에 따라 chucking force가 변화하는지요?
[1] | 3095 |
471 |
Plasma Etching 교재 추천 부탁드립니다..
[3] | 1005 |
470 |
기판 위에서 Radical의 운동역학에 관하여 질문드립니다.
[2] | 622 |
469 |
ICP plasma에서 RF bias에 대한 문의가 있습니다
[2] | 3699 |
468 |
VPS 공정에서 압력변수관련 질문입니다.
[1] | 405 |
467 |
임피던스 실수부에 대해 궁금한 점이 있습니다.
[4] | 2152 |
466 |
쉬쓰 천이지역에 관한 질문입니다.
[1] | 1111 |
465 |
Langmuir probe의 위치에 관한 질문입니다.
[3] | 1261 |
464 |
상압플라즈마 제품 원리 질문드립니다
[2] | 916 |
463 |
식각 시 나타나는 micro-trench 문제
[1] | 1755 |
462 |
plasma etching을 관련 문의드립니다.
[1] | 2357 |
461 |
Wafer particle 성분 분석
[1] | 2217 |
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고온의 플라즈마와 저온의 플라즈마의 차이
[1] | 2329 |
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charge effect에 대해
[2] | 1405 |
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PECVD 증착에서 etching 관계
[1] | 1332 |
정의가 중요합니다. 고온과 저온은 우리가 생각하는 온도 범위와는 차이가 큽니다. 여기서는 주로 eV 에너지 단위를 사용해서 온도를 표시합니다. 일반적으로 온도는 플라즈마 전자의 온도로 가정해도 좋습니다.. 따라서 저온 플라즈마는 (<10eV) 정도의 전자의 열평형상태를 대표하는 온도이며, 이는 주로 산업용으로 쓰이는 플라즈마를 의미합니다. 전자에너지가 낮음은 플라즈마가 모두 이온화 되어 있지 않다는 의미이기 도하며, 이온화율을 1% 정도에서 10% 정도까지, 또는 그 미만으로 부분적으로 이온화된 상태 (partially ionization), 플라즈마 전자+이온+대부분의 중성입자 (라디털포함)으로 이뤄진 상태입니다. 반면 고온 플라즈마는 핵융합 플라즈마와 같이 전자 온도가 수십 keV를 넘는 플라즈마이며 이정도 온도를 가졌기에 대부분의 가스입자들이 완전히 이온화가 된 상태, fully ionization 상태를 의미하게 됩니다. 따라서 저온 플라즈마에서는 플라즈마의 물리적 특성과 함께 화학적 특성과 중성입자의 거동을 함께 고려해야 하며, 고온 플라즈마에서는 주로 물리적 특성과, 대부분이 자화된 상태로 구속되어 있으므로 자기장에서의 성질을 함께 고려해야 한다는 의미를 함축하고 있습니다.