안녕하세요? 궁금한 사항이 있어 게시글을 남깁니다.

플라즈마를 통한 CCP etcher 의 경우 PE모드와 RIE모드가 있는것으로 알고 있습니다.

이 두경우는 상부전극에 RF를 걸어주느냐, 하부기판에 RF를 걸어주느냐에 따라 분류됨을 알고있습니다.

그런데 쉬스의 경우에는 RIE 모드에서만 기판 가까이 형성이 되고, PE 모드에서는 기판에 형성이 되지 않는다는

자료를 보아서, 궁금하여 질문을 드립니다.

감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76542
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20078
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57116
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68615
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91697
503 poly식각을 위한 조언 부탁드립니다. file 1399
502 ICP lower power 와 RF bias [1] 1406
501 N2 / N2O Gas 사용시 Plamsa 차이점 [1] 1412
500 O2 plasma etching 관련 질문이 있습니다. [1] 1414
499 Depo시 RF 초기 Reflect 관련하여 문의드립니다. [1] 1417
498 MATCHER 발열 문제 [3] 1425
497 PECVD와 RIE의 경계에 대해 [1] 1427
496 Ar plasma power/time [1] 1429
495 PECVD 공정 진행중 chamber wall 부분에서 보이는 plasma instability 관련 질문 드립니다. [1] 1437
494 알고싶습니다 [1] 1438
493 강의를 들을 수 없는건가요? [2] 1442
492 RF 케이블 발열 현상관련 문의 드립니다. 1446
491 Plasma 발생영역에 관한 질문 [2] 1448
490 rf chamber 내에 생기는 byproduct에 대한 질문 있습니다. [1] 1449
489 연속 plasma 방전시 RF power drop 및 Reflect 발생 [1] 1451
488 플라즈마 rotational temperature에 관해서 질문드릴게 있습니다. [1] 1453
487 charge effect에 대해 [2] 1454
486 Impedence 위상관련 문의.. [1] 1456
485 plasma 형성 관계 [1] 1466
484 PECVD 증착에서 etching 관계 [1] 1471

Boards


XE Login