안녕하세요. 

저희 장비에서 RF는 상부와 하부로 나뉘어져 있고 하부 쪽에서 Vpp가 측정됩니다. 보통 이것과 Ion energy를 비례하게 해석하던데, 어떻게 연결 지어야 하는지 궁금합니다.

장비 설명에서 Vpp는 RF Matcher의 Position으로부터 도출되는 것이라고 설명되있었습니다.

즉 하부에서 RF reflect가 존재해야 Vpp가 계산된다는 것인데, 이것으로 어떻게 Ion Energy를 예상하는지...

일반적으로 입사되는 Ion이나 전자의 전하 움직임을 Reflect로 해석하는 것인가요?

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] 76712
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20168
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57164
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68688
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92255
488 [질문] Plasma 장비에 대한 Monitoring 질문 [2] 1371
487 Ion과 Radical의 이동 거리 및 거리에 따른 농도와 증착 품질 관련 [1] 736
486 Matcher의 Load, Tune 영향을 미치는 요소가 궁금합니다. [2] 6269
485 EEDF, IEDF, Cross section관련 질문 [1] 1642
484 ICP, CCP 그리고 Ion Implantation 공정 관련 질문 드립니다. [1] 1176
483 matcher, ESC, Heater에 대해 질문 드립니다. [3] 3177
482 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 2869
481 교수님 질문이 있습니다. [1] 743
480 wafer bias [1] 1129
479 Group Delay 문의드립니다. [1] 1144
478 Plasma에 의한 분해 및 치환 반응(질문) [1] 513
477 RPG Cleaning에 관한 질문입니다. [2] 1999
476 리모트 플라스마 소스 AK 부품 수출 관련 질문 입니다 반도체 장비 부풉ㅁ 1045
475 안녕하세요 ICP dry etching 관련 질문사항드립니다! [1] 1950
474 PEALD관련 질문 [1] 32612
473 N2 Plasma 상태에 대해서 질문 드립니다. [1] 2209
472 dry etching중 온도, 진공도, glass상태에 따라 chucking force가 변화하는지요? [1] 3498
471 Plasma Etching 교재 추천 부탁드립니다.. [3] 1070
470 기판 위에서 Radical의 운동역학에 관하여 질문드립니다. [2] 708
469 ICP plasma에서 RF bias에 대한 문의가 있습니다 [2] 3953

Boards


XE Login