안녕하세요. 저는 반도체 업종에서 근무하고 있습니다.

궁금한 점이 있어 질문드립니다.

Amorphous carbon 을 O2 분위기하에서 플라즈마 처리 할 경우 제거되는 지 궁금합니다.

또한 TIN 막을 H2 plasma 처리 할 경우 질소가 제거 된 TI가 되는 지 궁금합니다.

챔버 내 대기압 또는 진공상태가 위의 결과에 영향을 크게 미치는 지 궁금합니다.

감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [129] 5614
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 16912
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 51351
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 64223
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 84302
391 안녕하세요, 질문드립니다. [2] 6494
390 플라스마 상태에서도 보일-샤를 법칙이 적용 되나요? [1] 6467
389 저온플라즈마에 대하여 ..질문드립니다 ㅠ [1] 6350
388 액체 안에서의 Dielectric Barrier Discharge에 관하여 질문드립니다! [1] 6325
387 플라즈마 기술관련 문의 드립니다 [1] 6314
386 플라즈마 건식식각 장비 부품 정전척 공정 진행 후 외각 He-hole 부위 burning 현상 매카니즘 문의.. [1] 6231
385 플라즈마 데미지에 관하여.. [1] 6210
384 공동형 플라즈마에서 구리 전극의 식각 문제 [2] 6207
383 RF Power reflect 관련 문의 드립니다. [4] 6064
382 자료 요청드립니다. [1] 6052
381 저온 플라즈마에 관해서 [1] 6037
» O2 plasma, H2 plasma 처리 관련 질문이 있습니다. [1] 5988
379 RF Generator와 Impedance 관련 질문있습니다 [2] 5946
378 O2 플라즈마 표면처리 관련 질문2154 [1] 5852
377 Matcher의 Load, Tune 영향을 미치는 요소가 궁금합니다. [2] 5705
376 OES를 활용한 excitation temperature 분석 질문입니다. [1] 5694
375 모노실란(SiH4) 분해 메카니즘 문의 5662
374 RF calibration에 대해 질문드립니다. 5365
373 RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [4] 5232

Boards


XE Login