Collision Sputtering 중 VDC가 갑자기 변화하는 이유는 무엇인가요?

2012.02.16 05:21

찬란 조회 수:15885

안녕하세요.

반도체업계에서 근무하는 김상완 사원입니다.

Sputter의 지식이 부족하여 질문 올립니다.

배경: PM후 Deporete Check까지는 이상이 없었습니다.

           하루지나고 공정진행시에 반사율 및 Peak 이상 현상이 발생되고 있습니다.

 질문: 공정 진행시에 VDC가 급격하게 상승하여 증착에 이상이 발생되고 있는것으로 보여지는데요.

           Ar은 일정하게 주입되고 있고 다른것도 문제가 없습니다.

          Sputtering 중 VDC가 405~420 가량 유지하다가,

           갑자기 560~570으로 변화하는 이유는 무엇일까요....

         

          

          

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] 76727
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20188
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57167
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68699
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92278
489 매쳐에서의 load, tune에 대하여 좀 가르쳐 주세요~ [1] 5067
488 [질문] Plasma 장비에 대한 Monitoring 질문 [2] 1375
487 Ion과 Radical의 이동 거리 및 거리에 따른 농도와 증착 품질 관련 [1] 736
486 Matcher의 Load, Tune 영향을 미치는 요소가 궁금합니다. [2] 6269
485 EEDF, IEDF, Cross section관련 질문 [1] 1644
484 ICP, CCP 그리고 Ion Implantation 공정 관련 질문 드립니다. [1] 1178
483 matcher, ESC, Heater에 대해 질문 드립니다. [3] 3179
482 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 2873
481 교수님 질문이 있습니다. [1] 745
480 wafer bias [1] 1129
479 Group Delay 문의드립니다. [1] 1144
478 Plasma에 의한 분해 및 치환 반응(질문) [1] 514
477 RPG Cleaning에 관한 질문입니다. [2] 2005
476 리모트 플라스마 소스 AK 부품 수출 관련 질문 입니다 반도체 장비 부풉ㅁ 1045
475 안녕하세요 ICP dry etching 관련 질문사항드립니다! [1] 1952
474 PEALD관련 질문 [1] 32614
473 N2 Plasma 상태에 대해서 질문 드립니다. [1] 2216
472 dry etching중 온도, 진공도, glass상태에 따라 chucking force가 변화하는지요? [1] 3510
471 Plasma Etching 교재 추천 부탁드립니다.. [3] 1071
470 기판 위에서 Radical의 운동역학에 관하여 질문드립니다. [2] 711
쓰기
태그

Boards

XE Login