안녕하세요 RGA에 관하여 궁금한 점이 있습니다.


지금 저희가 사용하는 RGA는 인피콘 Transpector MPH 이고 SUS진공챔버에 사용하고 있습니다.


RGA 운용은 -3~4Pa 이하대에서 진행하고 있고 SUS챔버 Baking 시 잔류가스분석에 사용하고 있습니다.


한번 사용 할 때마다 70시간 정도씩 외벽90도(내벽130도)로 사용하고 있는데 이온소스가 오염되는 현상이 일어나고 있습니다.


혹시 RGA 이온소스 오염 원인에 대해서 알 수 있을까요? 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [266] 76691
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20152
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57159
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68680
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92218
487 Ion과 Radical의 이동 거리 및 거리에 따른 농도와 증착 품질 관련 [1] 734
486 Matcher의 Load, Tune 영향을 미치는 요소가 궁금합니다. [2] 6265
485 EEDF, IEDF, Cross section관련 질문 [1] 1641
484 ICP, CCP 그리고 Ion Implantation 공정 관련 질문 드립니다. [1] 1174
483 matcher, ESC, Heater에 대해 질문 드립니다. [3] 3171
482 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 2869
481 교수님 질문이 있습니다. [1] 740
480 wafer bias [1] 1127
479 Group Delay 문의드립니다. [1] 1143
478 Plasma에 의한 분해 및 치환 반응(질문) [1] 512
477 RPG Cleaning에 관한 질문입니다. [2] 1992
476 리모트 플라스마 소스 AK 부품 수출 관련 질문 입니다 반도체 장비 부풉ㅁ 1045
475 안녕하세요 ICP dry etching 관련 질문사항드립니다! [1] 1945
474 PEALD관련 질문 [1] 32611
473 N2 Plasma 상태에 대해서 질문 드립니다. [1] 2203
472 dry etching중 온도, 진공도, glass상태에 따라 chucking force가 변화하는지요? [1] 3491
471 Plasma Etching 교재 추천 부탁드립니다.. [3] 1068
470 기판 위에서 Radical의 운동역학에 관하여 질문드립니다. [2] 706
469 ICP plasma에서 RF bias에 대한 문의가 있습니다 [2] 3949
468 VPS 공정에서 압력변수관련 질문입니다. [1] 426

Boards


XE Login