안녕하세요, 저는 반도체 장비 회사에서 PECVD 설비를 개발하고 있는 이장혁이라고 합니다.


최근 개발하고 있는 설비의 CONTACT FILL 능력이 문제가 되고 있는데요, 일단 DEPO RATE 관점에서 원인을 찾으려고 하고 있습니다.


PECVD 공정의 D/R 에 영향을 주는 인자는 여러가지가 있겠지만 여기서 여쭤보고 싶은 건 FREQUENCY 인데요....


다른 조건이 고정되어 있을 때 FREQUENCY 가 높아지면 D/R 이 빨라지나요? 참고로 말씀드리면 DEPO 하는 막질은 TI 이고 PRECURSOR 로는 TICL4 를 사용합니다.  

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [113] 4941
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 16313
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 51255
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 63778
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [2] 83585
379 Plasma 에서 Coupled (결합) 의 의미 [1] 826
378 고진공 만드는방법. [1] 788
377 PDP 방전갭에 따른 휘도에 관해 질문드려요 [1] 353
376 플라즈마 절단시 C와 N의 결합가능성 [2] 558
375 플라즈마 진단에서 rogowski 코일 관련 질문 드립니다. [1] 808
374 Tribo-Plasma 에 관해서 질문드리고 싶습니다. 396
373 코로나 전류에 따른 발생되는 이온의 수와, 하전에 영향을 미치는 요소에 대해서 질문드립니다 [1] 575
372 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 3877
371 플라즈마 압력에 대하여 [1] 2460
370 RF plasma 증착 시 arcing 관련하여 질문드립니다. [1] 2666
369 활성이온 측정 방법 [1] 447
368 rf chamber 내에 생기는 byproduct에 대한 질문 있습니다. [1] 1162
367 Etch 공정 Dummy 사용이유가 뭔지 알 수 있을까요? [1] 1598
366 ICP와 CCP에서의 Breakendown voltage [1] 1366
365 sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지 [1] 1914
364 Remote Plasma 가 가능한 이온 [1] 1388
363 CVD CCP/ICP 사용간 Wafet Bias volt 줄어듬 현상 문의드려요 [1] 1545
362 DBD Plasma Actuator 원리에 대한 질문입니다. [1] 631
361 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. 800
360 플라즈마에서 가속 전압 또는 RF 파워 관련 질문드려요. [1] 943

Boards


XE Login