안녕하세요,

재료공학과 연구실에서 연구를 하고 있는 대학원생입니다.

항상 좋은 답변 해주셔서 많은 도움을 받고 있습니다.


제가 이번에 Arcing 관련 이슈를 공부하고 있는데,


1. DC plasma에서의 arcing과 RF plasma에서의 arcing사이에 어떤 차이가 있는지 궁금합니다.

그리고,

2. RF plasma에서 발생하는 arcing을 줄일 수 있는 방법에는 어떠한 것들이 있는지도 궁금합니다.


감사합니다.



번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [128] 5591
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 16863
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 51345
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 64198
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 84174
391 PR wafer seasoning [1] 2443
390 플라스마 상태에서도 보일-샤를 법칙이 적용 되나요? [1] 6464
389 플라즈마 기본 사양 문의 [1] 521
388 RF PLASMA를 사용한 J.R ESC DECHUCK에 대하여 문의드립니다. [1] 1523
387 wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [1] 1256
386 VI sensor를 활용한 진단 방법 [2] 2214
385 아래 382 번 질문에 대한 추가 질문 드립니다. [1] 826
384 ICP 후 변색 질문 585
383 Plasma etcher particle 원인 [1] 2143
382 PRECOATING 공정에서 SHOWERHEAD <-> STAGE HEATER 간 GAP 과 DEPO 막질의 THK 와의 연관성.... [1] 1713
381 Massbalance equation 에서 P(t) 유도과정 294
380 ESC 사용하는 PVD 에서 Center tap bias의 역할 3836
379 Plasma 에서 Coupled (결합) 의 의미 [1] 853
378 고진공 만드는방법. [1] 808
377 PDP 방전갭에 따른 휘도에 관해 질문드려요 [1] 362
376 플라즈마 절단시 C와 N의 결합가능성 [2] 571
375 플라즈마 진단에서 rogowski 코일 관련 질문 드립니다. [1] 817
374 Tribo-Plasma 에 관해서 질문드리고 싶습니다. 404
373 코로나 전류에 따른 발생되는 이온의 수와, 하전에 영향을 미치는 요소에 대해서 질문드립니다 [1] 594
372 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 4053

Boards


XE Login