안녕하세요,

재료공학과 연구실에서 연구를 하고 있는 대학원생입니다.

항상 좋은 답변 해주셔서 많은 도움을 받고 있습니다.


제가 이번에 Arcing 관련 이슈를 공부하고 있는데,


1. DC plasma에서의 arcing과 RF plasma에서의 arcing사이에 어떤 차이가 있는지 궁금합니다.

그리고,

2. RF plasma에서 발생하는 arcing을 줄일 수 있는 방법에는 어떠한 것들이 있는지도 궁금합니다.


감사합니다.



번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] 76714
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20170
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57164
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68695
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92273
488 [질문] Plasma 장비에 대한 Monitoring 질문 [2] 1373
487 Ion과 Radical의 이동 거리 및 거리에 따른 농도와 증착 품질 관련 [1] 736
486 Matcher의 Load, Tune 영향을 미치는 요소가 궁금합니다. [2] 6269
485 EEDF, IEDF, Cross section관련 질문 [1] 1642
484 ICP, CCP 그리고 Ion Implantation 공정 관련 질문 드립니다. [1] 1177
483 matcher, ESC, Heater에 대해 질문 드립니다. [3] 3178
482 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 2872
481 교수님 질문이 있습니다. [1] 744
480 wafer bias [1] 1129
479 Group Delay 문의드립니다. [1] 1144
478 Plasma에 의한 분해 및 치환 반응(질문) [1] 513
477 RPG Cleaning에 관한 질문입니다. [2] 2001
476 리모트 플라스마 소스 AK 부품 수출 관련 질문 입니다 반도체 장비 부풉ㅁ 1045
475 안녕하세요 ICP dry etching 관련 질문사항드립니다! [1] 1950
474 PEALD관련 질문 [1] 32614
473 N2 Plasma 상태에 대해서 질문 드립니다. [1] 2215
472 dry etching중 온도, 진공도, glass상태에 따라 chucking force가 변화하는지요? [1] 3507
471 Plasma Etching 교재 추천 부탁드립니다.. [3] 1070
470 기판 위에서 Radical의 운동역학에 관하여 질문드립니다. [2] 709
469 ICP plasma에서 RF bias에 대한 문의가 있습니다 [2] 3953

Boards


XE Login