Etch DRAM과 NAND에칭 공정의 차이

2018.08.06 11:06

베컴 조회 수:5454

안녕하십니까?


DRAM과 NAND에칭 공정의 차이가 궁금합니다.


공정에서 주입되는 가스의 종류와 전기적 즉 HF/LF VPP의 차이도 있는거 같습니다.

DRAM과 NAND의 소자구조와 기능은 알겠으나.....공정조건의 차이가 왜나는지가 궁금합니다.

막질이 다름으로 인해...사용되는가스가 다른건지요?

공정조건이 다른 가장 큰 이유가 궁금합니다.


확인부탁드립니다.


감사합니다. 수고십시오.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] 76726
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20181
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57167
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68697
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92276
489 매쳐에서의 load, tune에 대하여 좀 가르쳐 주세요~ [1] 5067
488 [질문] Plasma 장비에 대한 Monitoring 질문 [2] 1374
487 Ion과 Radical의 이동 거리 및 거리에 따른 농도와 증착 품질 관련 [1] 736
486 Matcher의 Load, Tune 영향을 미치는 요소가 궁금합니다. [2] 6269
485 EEDF, IEDF, Cross section관련 질문 [1] 1644
484 ICP, CCP 그리고 Ion Implantation 공정 관련 질문 드립니다. [1] 1177
483 matcher, ESC, Heater에 대해 질문 드립니다. [3] 3179
482 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 2873
481 교수님 질문이 있습니다. [1] 745
480 wafer bias [1] 1129
479 Group Delay 문의드립니다. [1] 1144
478 Plasma에 의한 분해 및 치환 반응(질문) [1] 514
477 RPG Cleaning에 관한 질문입니다. [2] 2004
476 리모트 플라스마 소스 AK 부품 수출 관련 질문 입니다 반도체 장비 부풉ㅁ 1045
475 안녕하세요 ICP dry etching 관련 질문사항드립니다! [1] 1952
474 PEALD관련 질문 [1] 32614
473 N2 Plasma 상태에 대해서 질문 드립니다. [1] 2215
472 dry etching중 온도, 진공도, glass상태에 따라 chucking force가 변화하는지요? [1] 3509
471 Plasma Etching 교재 추천 부탁드립니다.. [3] 1071
470 기판 위에서 Radical의 운동역학에 관하여 질문드립니다. [2] 710

Boards


XE Login