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[필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내
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공지 |
Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법
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공지 |
개인정보 노출 주의 부탁드립니다.
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공지 |
kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수
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공지 |
질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
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공동형 플라즈마에서 구리 전극의 식각 문제 [공동형 토치의 운전법 및 방전특성이해]
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503 |
코로나방전, 이온풍 관련 문의 드립니다. [Reaction rate 및 reaction rate coefficient]
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SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [ER과 energy transport]
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자료 요청드립니다.
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모노실란(SiH4) 분해 메카니즘 문의
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CCP 설비에서 Vdc, Vpp과 Power에 대해 문의드립니다.[CCP와 Vdc, Vpp]
[1] | 6128 |
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안녕하세요. ICP 플라즈마의 임피던스를 측정하는 방법에 대해서 문의를 드립니다. [VI probe]
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OES를 활용한 excitation temperature 분석 질문입니다. [Electron Temperature와 Excitation Temperature]
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RF calibration에 대해 질문드립니다.
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RF Vpp관련하여 문의드립니다. [Self bias와 플라즈마 쉬스]
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ESC Chuck 기능이 Wafer 위에서의 Chemical Bond 생성을 boosting 할 수 있는지 궁금합니다. [ESC, 쉬스 전기장 및 bias 전력 조절]
[1] | 5799 |
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SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [반응성 기체 생성]
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DRAM과 NAND 에칭 공정의 차이 ["플라즈마 식각 기술"]
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RF power에 대한 설명 요청드립니다. [Child-Langmuir sheath 및 Debye length]
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매쳐에서의 load, tune에 대하여 좀 가르쳐 주세요~ [RF 전력 전달]
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Sheath 길이와 전자의 온도 및 MFP간의 관계에 대해 질문 드립니다. [자유행정거리, Child law sheath]
[1] | 5029 |
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챔버내 Arcing 발생 개선안에 대해 질문드립니다. [Arc 형성 조건]
[3] | 4938 |
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플라즈마 색 관찰 [플라즈마 빛과 OES신호]
[1] | 4547 |
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486 |
Dry Etching Uniformity 개선 방법 [장치 구조에 따른 공간 분포]
[2] | 4498 |
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485 |
ESC 사용하는 PVD 에서 Center tap bias의 역할
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