Matcher Impedence 위상관련 문의..
2017.06.30 04:39
안녕하세요. 전에도 몇번 질문드렸었습니다만,, 반도체 관련회사에서 근무하고 있습니다.
RF (ICP)장비를 다루고 있는데 impedence 위상관련해서 문의 좀 드리려고 합니다.
impedence 매칭은 저항과 위상으로 조정하데..
공정 parameter (Ar pressure , AC power 등)의 변화로 위상이 변화할수 있을까요?
변화된다면 어떤 이유로 변화되는지 조금 자세하게 설명을 듣고 싶습니다..
그리고 정말 죄송한데 smith chart program 을 사용하고 싶은데..도움 받을 site가 있을까요?
검색해서 찾아봐도 알수 없는 site로 이동이 되서...찾기가 어렵습니다만..
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] | 76722 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20172 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57165 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68696 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92273 |
468 | VPS 공정에서 압력변수관련 질문입니다. [1] | 426 |
467 | 임피던스 실수부에 대해 궁금한 점이 있습니다. [4] | 2329 |
466 | 쉬쓰 천이지역에 관한 질문입니다. [1] | 1156 |
465 | Langmuir probe의 위치에 관한 질문입니다. [3] | 1348 |
464 | 상압플라즈마 제품 원리 질문드립니다 [2] | 954 |
463 | 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [1] | 1981 |
462 | plasma etching을 관련 문의드립니다. [1] | 2432 |
461 | Wafer particle 성분 분석 [1] | 2319 |
460 | 고온의 플라즈마와 저온의 플라즈마의 차이 [1] | 2778 |
459 | charge effect에 대해 [2] | 1465 |
458 | PECVD 증착에서 etching 관계 [1] | 1496 |
457 | 터보펌프 에러관련 [1] | 1756 |
456 | 프리쉬스에 관한 질문입니다. [1] | 596 |
455 | 부가적인 스퍼터링 관련 질문 드립니다. [1] | 1385 |
454 | 플라즈마 충격파 질문 [1] | 794 |
453 | ESC Cooling gas 관련 [1] | 3532 |
452 | O2 Plasma 에칭 실험이요 [1] | 957 |
451 | 플라즈마 코팅 [1] | 1036 |
450 | 산소양이온의 금속 전극 충돌 현상 [1] | 2581 |
449 | 수중방전에 대해 질문있습니다. [1] | 501 |
우리가 하나의 회로로 플라즈마를 놓는다면 capacitance (쉬스), diode (이온 전류), 및 저항 ( 총돌에 의한 에너지 전달: Ohmic heating 과 Stochastic heating) 값, 그리고 inductance (충돌로 인한 플라즈마 전류 위상차이)로 표현이 가능할 것입니다. 이를 종합해서 플라즈마 임피던스라 하고, 특히 RF 에 영향을 미치는 cap/inductance 항이 플라즈마 밀도와 온도 그리고, 충돌 함수이므로, 운전 전력과 압력에 따라서 matching position 이 바뀔 수 밖에 없겠습니다. 때로 연구자들은 회로 모델이라 부르는 해석 방법을 연구하기 합니다.