matcher를 봤을 때 직렬은 tune 병렬은 load라 튠값으로는 리액턴스를 로드 값으로는 저항성분에 대해 알 수 있다고 알고 있는데요

가끔 로드랑 튠 값이 흔들리고 산포가 좋지 않을 때가 있다합니다. 이렇게 값들이 흔들리는 이유로는 전체적으로 뭐가 있을까요?

또 plasma를 켰을 떄 매쳐의 로드와 튠 값에 영향을 주는 이자들은 무엇들이 있을까요?

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [317] 82593
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 21958
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 58741
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 70368
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 96264
504 공동형 플라즈마에서 구리 전극의 식각 문제 [공동형 토치의 운전법 및 방전특성이해] [2] 6445
503 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [ER과 energy transport] [1] file 6367
502 코로나방전, 이온풍 관련 문의 드립니다. [Reaction rate 및 reaction rate coefficient] [1] file 6345
501 CCP 설비에서 Vdc, Vpp과 Power에 대해 문의드립니다.[CCP와 Vdc, Vpp] [1] file 6324
500 자료 요청드립니다. [1] 6304
499 모노실란(SiH4) 분해 메카니즘 문의 6262
498 안녕하세요. ICP 플라즈마의 임피던스를 측정하는 방법에 대해서 문의를 드립니다. [VI probe] [3] 6180
497 OES를 활용한 excitation temperature 분석 질문입니다. [Electron Temperature와 Excitation Temperature] [1] 6060
496 RF calibration에 대해 질문드립니다. 5993
495 RF Vpp관련하여 문의드립니다. [Self bias와 플라즈마 쉬스] [1] 5915
494 ESC Chuck 기능이 Wafer 위에서의 Chemical Bond 생성을 boosting 할 수 있는지 궁금합니다. [ESC, 쉬스 전기장 및 bias 전력 조절] [1] 5834
493 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [반응성 기체 생성] [1] 5757
492 DRAM과 NAND 에칭 공정의 차이 ["플라즈마 식각 기술"] [1] 5698
491 RF power에 대한 설명 요청드립니다. [Child-Langmuir sheath 및 Debye length] [1] 5437
» 매쳐에서의 load, tune에 대하여 좀 가르쳐 주세요~ [RF 전력 전달] [1] 5347
489 Sheath 길이와 전자의 온도 및 MFP간의 관계에 대해 질문 드립니다. [자유행정거리, Child law sheath] [1] 5070
488 챔버내 Arcing 발생 개선안에 대해 질문드립니다. [Arc 형성 조건] [3] 5020
487 플라즈마 색 관찰 [플라즈마 빛과 OES신호] [1] 4603
486 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [장치 구조에 따른 공간 분포] [2] 4543
485 RIE에서 O2역할이 궁금합니다 [충돌 반응 rate constant] [4] 4540

Boards


XE Login