안녕하세요 반도체 장비회사에서 이제 막 배우기 시작한 신입사원입니다.

평소에 홈페이지에서 도움을 많이 얻었지만 학습 중 궁금한게 있어 여쭤봅니다.


제목 그대로 Edge Ring 없이 ESC를 구현 가능한지 궁금해서 글 남깁니다.


Edge Ring을 사용하는 이유가 Wafer Edge에서 형성되는 Sheath Region의 영향을 받아 Ion의 방향성이 수직으로 입사하지 않고 틀어진다고 알고있습니다.

그렇다면 Chamber 상부의 전극을 Control 하여 Wafer Edge에서 Ion 방향성 제어를 한다면 Edge Ring 없이 구현 가능하지 않을까 해서 글 남깁니다.

인터넷에 수없이 찾아봤지만 Edge Ring 없이 구현하는 ESC 관련 자료는 없기에 불가능 할것 같긴 합니다.

Edge Ring을 사용하는 이유가 위의 이유 이외에 다른것이 있는 것인지도 궁금합니다.



1. 상부 전극을 제어하여 Wafer Edge 부분에서 Ion 방향성을 제어한다면 Edge Ring 없이 구현가능한지 궁금합니다.


2. 위에 언급한 이유 외에 Edge Ring을 사용하는 다른 이유가 혹시 존재하는지 궁금합니다.


너무 두서없이 질문한것 같아 죄송합니다. 감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [218] 75407
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 19148
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 56477
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 67532
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 89320
428 doping type에 따른 ER 차이 [1] 1886
427 RF 주파수와 공정 Chamber 크기의 상관관계 [1] 1889
426 플라즈마 관련 기초지식 [1] 1908
425 chamber impedance [1] 1910
424 [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] 1918
423 RF/LF에 따른 CVD 막질 UNIFORMITY [1] 1930
422 DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다. [1] 1939
421 Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate [1] 1966
420 플라즈마 self bias 값과 압력, 파워의 상관관계에 대해 질문이 있습니다. [1] 1973
419 플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [1] 2002
418 CCP plasma에서 gap과 Pressure간의 상관관계 [1] 2004
417 Etch 공정 Dummy 사용이유가 뭔지 알 수 있을까요? [1] 2008
416 etching에 관한 질문입니다. [1] 2030
415 고온의 플라즈마와 저온의 플라즈마의 차이 [1] 2055
414 교수님 안녕하세요, icp 관련 질문이 있습니다. [2] 2073
413 임피던스 실수부에 대해 궁금한 점이 있습니다. [4] 2079
412 [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] 2084
411 CCP에서 전극에 쌓이는 막질에 의한 Capacitance 변화가 궁금합니다 [1] 2092
410 양극 코로나 방전에 대한 질문입니다. [1] 2101
409 PRECOATING 공정에서 SHOWERHEAD <-> STAGE HEATER 간 GAP 과 DEPO 막질의 THK 와의 연관성.... [1] 2109

Boards


XE Login