CCP CCP plasma에서 gap과 Pressure간의 상관관계
2021.08.05 17:12
안녕하십니까 교수님 항상 성심성의것 답변해 주신것 감사합니다.
저는 CCP plasma를 다루는 반도체 장비 회사를 다니고 있는 엔지니어 입니다.
다름이 아니라 여러가지 조건으로 Split test를 하는 와중에 샤워헤드와 척 사이의 갭을 늘렸더니
플라즈마가 켜졌을 때 Matcher의 Vrms가 초반 몇 초 동안 급격히 상승하는 현상이 발생했습니다.
운이 없었다면 아킹이 발생하고 웨이퍼가 깨졌을 수도 있었던 상황이라 생각합니다.
이런 상황에서 pressure를 낮췄을 때는 Gap을 늘려도 상대적으로 안정해지는 경향이 파악 되었습니다.
왜 Gap이 커지면 불안정해지고, 여기서 Pressure를 낮추면 Gap이 커져도 상대적으로 안정해 지는 걸까요??
감사합니다~!
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저는 압력과 간격에 관한 플라즈마 방전 현상은 먼저 파센 (Paschen)의 법칙으로부터 이해하려고 합니다. 파센의 법칙, 혹은 Pd 방전 곡선을 공부해 보시기를 추천드립니다. 아마도 현재 장비의 운전 범위도 해당 법칙에서 정의한 운전 범위의 경계에 놓인 것이 아닌가 하며, 장비사에서 방전 개시 조건에 대한 정보를 공유받으시기를 추천드립니다. 장비사가 제공해야 하는 데이터도 확인해서 장비 운전 특성을 기준으로 운전 윈도우를 설정하는 가이드가 마련되면 좋을 것 같습니다.