안녕하세요.

DC sputtering과 RF sputtering을 공부하면서 처음 전자의 출처와 처음 이온의 생성에 대해 궁금증이 생겼습니다.

 

기본적인 DC sputtering에서는 음극쪽에 도체를 연결함으로서 처음 양이온을 만들 줄 전자의 존재가 음극 쪽에서 튀어나와 중성원자와 충돌해서 양이온을 만든다는 것은 알고 있습니다.

이 때 이 전자의 출처는 도체 내 자유전자로부터 인가요? 아님 DC전압으로부터의 전자인가요?

 

RF Sputtering에서 부도체를 연결했을 경우 부도체에는 자유전자가 없을텐데 부도체 표면으로 향하는 양이온의 존재는 어떻게 해서 생성이 된건가요?

 

어찌보면 첫 질문의 답이 무엇이냐에 따라 자동적으로 RF스퍼터링의 질문이 해결될 수도 있는 질문 같네요.

 

 답변 부탁드리겠습니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76540
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20076
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57115
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68613
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91695
463 플라즈마 입자 운동 원리(전자기장에서) [1] 1734
462 터보펌프 에러관련 [1] 1737
461 wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [1] 1771
460 플라즈마 실험을 하고 싶은 한 고등학생입니다.... [1] 1777
459 PECVD 증착시 온도, 기판의 종류의 영향에 대해서 질문드립니다! [1] 1784
458 N2 Blowing Ionizer 사용 시 궁금점 질문 드립니다. [1] 1791
457 매칭시 Shunt와 Series 값 [1] 1808
456 RF FREUENCY 와 D/R 과의 상관 관계에 관한 질문입니다. [1] 1828
455 ICP 내부 기체 비율에 따른 spectrum intensity 변화 [1] 1831
454 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 답변 정말 감사합니다! 1855
453 CVD CCP/ICP 사용간 Wafet Bias volt 줄어듬 현상 문의드려요 [1] 1861
452 RF PLASMA를 사용한 J.R ESC DECHUCK에 대하여 문의드립니다. [1] 1871
451 쉬스(sheath)에서 전자와 이온의 감소 관련하여 질문 [1] 1878
450 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [1] 1879
449 가입인사드립니다. [1] 1880
448 유도결합 플라즈마 소스 질문!!!? [2] 1889
447 RF generator 관련 문의드립니다 [3] 1889
446 Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [1] 1896
445 3 stub 정합에 대해 궁금합니다. [1] 1904
444 Remote Plasma 가 가능한 이온 [1] 1904

Boards


XE Login