안녕하세요 제가 ICP-RIE로 SIO2를 식각하는 과정에서 나머지 변수는 모두 똑같고 (CF4+He gas) RF power를 올려서 식각했는데 측정결과 RF power를 올렸음에도 식각률이감소했습니다. 왜 이러한 결과가 나왔는지 그 이유에 대해 혹시 설명해주실수 있을까요? ㅠㅠ

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [316] 82059
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 21861
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 58645
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 70267
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 95977
504 Depo시 RF 초기 Reflect 관련하여 문의드립니다. [Matcher의 알고리즘] [1] 1572
503 ESC Polymer cracking 제거를 위한 ISD 공정 문의 1577
502 Impedence 위상관련 문의 [Circuit model, matching] [1] 1578
501 rf chamber 내에 생기는 byproduct에 대한 질문 있습니다. [Byproduct와 gas flow, cleaning] [1] 1578
500 Plasma arcing 관련하여 문의드립니다. [플라즈마 내 전자 축적] [1] 1589
499 반도체 관련 플라즈마 실험 [Plasma experiment] [1] 1592
» ICP-RIE etch에 관해서 여쭤볼것이 있습니다. [He 혼합비와 플라즈마 밀도] [1] 1611
497 플라즈마 관련 교육 [플라즈마 교육자료] [1] 1618
496 알고싶습니다 [Seasoning, 플라즈마 공정 및 부품 표면 특성 데이터] [1] 1626
495 데포 중 RF VDC DROP 현상 [부유 전극의 self bias 형성] [1] 1628
494 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [표면 화학 반응] [1] 1650
493 charge effect에 대해 [Self bias 및 capacitively couple] [2] 1651
492 O2 플라즈마 클리닝 관련 질문 [Physical sputtering과 cleaning] [1] 1660
491 ICP lower power 와 RF bias [Self bias, Floating sheath] [1] 1678
490 연속 plasma 방전시 RF power drop 및 Reflect 발생 [Cleaning procedure 플라즈마 공정진단 기술] [1] 1688
489 OES 분석 관련해서 질문드립니다. [Intensity 넓이 계산] [1] 1690
488 PECVD와 RIE의 경계에 대해 [DC bias 형성 판단] [1] 1700
487 N2, N2O Gas 사용시 Plasma 차이점 [N2 Plasma] [1] 1708
486 CCP에서 전자밀도증가 -> 임피던스 감소 과정 질문있습니다. [Breakdown과 impedance] [3] 1728
485 전극에 따른 힘의 크기 질문드립니다. [웨이퍼 bending] [1] file 1737

Boards


XE Login