Plasma etching 관련하여 공부를 하고 있는 학생입니다.

 

plasma를 분석하는 대표적인 방법 중 하나가 OES인데 저 역시도 분석장비를 여러번 사용하고 분석도 해보았습니다.

 

그런데 OES 분석 시 특정 peak의 intensity (height)을 통해 plasma 내 radical의 정성분석을 하게 되는데 왜 특정값만 사용하고 일정 공간의 넓이 (area)로 계산하지 않는지 잘 모르겠습니다.

 

관련 논문이나 책도 많이 찾아봤는데 "intensity를 분석했다." 라고만 나오고 왜 intensity를 분석했는지에 대해선 안나오더라구요.

 

개인적인 추측으로는 OES 분석이 각 원자나 분자가 relaxation되면서 방출되는 파장이 불연속적 값이라서지 않을까 생각되긴 하는데 이거만으로는 intensity로 분석하는 것에 대한 근거가 부족하다고 생각이 들었습니다. 

 

Intensity를 포함하는 일정 영역의 넓이를 계산하지 않고 특정 intensity 값을 통해 분석하는 명확한 이유를 알 수 있을까요?

 

참고할 수 있는 문헌이 있다면 알려주시면 자세히 읽어보도록 하겠습니다.

 

감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [313] 79256
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 21269
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 58067
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69624
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 94414
503 반도체 관련 플라즈마 실험 [Plasma experiment] [1] 1544
502 rf chamber 내에 생기는 byproduct에 대한 질문 있습니다. [Byproduct와 gas flow, cleaning] [1] 1547
501 RF 케이블 발열 현상관련 문의 드립니다. 1549
500 ESC Polymer cracking 제거를 위한 ISD 공정 문의 1553
499 Impedence 위상관련 문의 [Circuit model, matching] [1] 1554
498 ICP-RIE etch에 관해서 여쭤볼것이 있습니다. [He 혼합비와 플라즈마 밀도] [1] 1558
497 플라즈마 관련 교육 [플라즈마 교육자료] [1] 1572
496 알고싶습니다 [Seasoning, 플라즈마 공정 및 부품 표면 특성 데이터] [1] 1584
495 데포 중 RF VDC DROP 현상 [부유 전극의 self bias 형성] [1] 1600
494 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [표면 화학 반응] [1] 1608
» OES 분석 관련해서 질문드립니다. [Intensity 넓이 계산] [1] 1610
492 charge effect에 대해 [Self bias 및 capacitively couple] [2] 1620
491 O2 플라즈마 클리닝 관련 질문 [Physical sputtering과 cleaning] [1] 1626
490 ICP lower power 와 RF bias [Self bias, Floating sheath] [1] 1629
489 연속 plasma 방전시 RF power drop 및 Reflect 발생 [Cleaning procedure 플라즈마 공정진단 기술] [1] 1643
488 N2, N2O Gas 사용시 Plasma 차이점 [N2 Plasma] [1] 1657
487 PECVD와 RIE의 경계에 대해 [DC bias 형성 판단] [1] 1661
486 glow 방전 현상과 플라즈마 현상에 궁금하여 글 남깁니다. [고전압 방전 및 DBD] [2] 1691
485 IMPEDANCE MATCHING PATH에서 S/H ~ MATCHER 간 전력전송 방법들에 대해 문의드립니다. [접촉 저항] [2] 1692
484 CCP에서 전자밀도증가 -> 임피던스 감소 과정 질문있습니다. [Breakdown과 impedance] [3] 1701

Boards


XE Login