안녕하세요.

CVD 공정 엔지니어로 근무 중인데, 전공과 무관한 업무를 하다보니 막히는 경우가 많은데 교수님께 많은 도움을 받고 있습니다. 감사합니다.

다름이 아니라 SiO2 박막 Depo 후, F 입자를 이용하여 Clean을 진행하는데 박막 밀도가 높을 수록 Clean의 효율이 감소하는 결과를 확인했습니다.

제가 추정하는 이유는 두 가지 인데, 제가 추정하는 이유가 맞는지 교수님의 전문적인 견해가 궁금하여 글을 작성합니다..

 

 1) 막질 밀도가 낮을 수록 막질이 phorous하여 빈 공간으로 Radical이 침투하기 용이하여 반응성 증가

 2) 막질 밀도가 낮을 수록 같은 두께의 박막 내 SiO2 분자수가 적기 때문에 제거해야 할 SiO2 분자수가 적어 Clean 효율 증가

 

항상 감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [266] 76650
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20148
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57148
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68669
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92125
467 압력 변화와 Ch Impedance 상관관계 질문 [1] 1700
466 CVD품질과 RF Delivery power 관계 질문 [1] 1712
465 ICP와 CCP에서의 Breakendown voltage [1] 1730
464 Edge ring과 플라즈마 밀도 균일성 [1] 1739
463 터보펌프 에러관련 [1] 1751
462 플라즈마 입자 운동 원리(전자기장에서) [1] 1770
461 wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [1] 1784
460 N2 Blowing Ionizer 사용 시 궁금점 질문 드립니다. [1] 1802
459 플라즈마 실험을 하고 싶은 한 고등학생입니다.... [1] 1827
458 RF FREUENCY 와 D/R 과의 상관 관계에 관한 질문입니다. [1] 1834
457 PECVD 증착시 온도, 기판의 종류의 영향에 대해서 질문드립니다! [1] 1834
456 ICP 내부 기체 비율에 따른 spectrum intensity 변화 [1] 1839
455 매칭시 Shunt와 Series 값 [1] 1839
454 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 답변 정말 감사합니다! 1857
453 CVD CCP/ICP 사용간 Wafet Bias volt 줄어듬 현상 문의드려요 [1] 1867
452 가입인사드립니다. [1] 1880
451 RF PLASMA를 사용한 J.R ESC DECHUCK에 대하여 문의드립니다. [1] 1884
450 쉬스(sheath)에서 전자와 이온의 감소 관련하여 질문 [1] 1894
449 유도결합 플라즈마 소스 질문!!!? [2] 1895
448 3 stub 정합에 대해 궁금합니다. [1] 1906

Boards


XE Login