안녕하세요. 교수님

제가 현재 PECVD-CCP장비의 공정 Test를 하던 중

VHF(27M) Power를 점점 늘려감에 따라 Deposition Rate가 감소하는 경향을 보여 문의드립니다.

원인을 찾던 중. 발견한 논문에 따르면 어느정도 증가하다가 2차포물선 그래프를 띄며 Deposition이 감소하는데

이는 초기 증가분은 라디칼을 많이 생성해서 D/R을 상승시키지만 어느정도 증가하게 되면 Ion Bombardment가 커져서 그런 현상이 생긴다고 작성되어 있는데, 이해가 잘 안되서요.

제가 알고 있는 짧은 지식으로는 Power가 커지면 Density가 늘어나면서 Sheath영역이 작아지게 되는것 같은데 아닌가요??

 

Generally, the ion bombardment energy increases witIr"an increase in rf power because the sheath electric field increases as the
square root of the rfpower density.

라고 써있는데, 영문으로 작성된 이 내용이 정말 일반적인 내용인지..제가 이해를 잘 못한건지 궁금합니다.

또한 cathode와 wall 사이에 reactant gases가 고갈된다고 하는데. 너무 논문에서 당연한듯 이야기 해서 이유가 궁금합니다. 

In addition the depletion of reactant gases by the plasma between cathode and reactor wall is also regarded as a factor for the low deposition rate observed at high rf power.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76538
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20076
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57115
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68613
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91695
463 RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [4] 6200
462 O2, N2, Ar 플라즈마에 대한 질문입니다. [2] 6121
461 모노실란(SiH4) 분해 메카니즘 문의 6045
460 코로나방전, 이온풍 관련 문의 드립니다. [1] file 5930
459 OES를 활용한 excitation temperature 분석 질문입니다. [1] 5910
458 안녕하세요. ICP 플라즈마의 임피던스를 측정하는 방법에 대해서 문의를 드립니다. [3] 5865
457 RF calibration에 대해 질문드립니다. 5784
456 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 5732
455 RF Vpp 관련하여 문의드립니다. [1] 5648
454 ESC Chuck 기능이 Wafer 위에서의 Chemical Bond 생성을 boosting 할 수 있는지 궁금합니다. [1] 5462
453 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 5417
452 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] 5181
451 RF power에 대한 설명 요청드립니다. [1] 5115
450 매쳐에서의 load, tune에 대하여 좀 가르쳐 주세요~ [1] 5021
449 Sheath 길이와 전자의 온도 및 MFP간의 관계에 대해 질문 드립니다. [1] 4738
448 CCP 설비에서 Vdc, Vpp과 Power에 대해 문의드립니다. [1] file 4712
447 챔버내 Arcing 발생 개선안에 대해 질문드립니다. [2] 4361
446 ESC 사용하는 PVD 에서 Center tap bias의 역할 4293
445 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2] 4239
444 플라즈마 색 관찰 [1] 4191

Boards


XE Login