안녕하세요, 에칭쪽은 처음 접해보게 된 연구자입니다. Wet 에칭 중에서도 HF 나 F2 의 SiO2 에칭에 관심이 생겨 알아보고 있습니다. 

시간별/온도별 pure HF 와 pure F2 가스의 fused silica glass (SiO2) 또는 quartz SiO2 표면의 에칭율 (etch rate) 자료를 찾아보고 있습니다. 근데 제가 구글 검색 능력이 떨어져서 그런지, 생각보다 별다른 자료가 많이 나오지 않습니다.   

제가 찾은건 

https://pubs.acs.org/doi/full/10.1021/ja993803z?src=recsys

https://www.seas.upenn.edu/~nanosop/documents/Etchratesformicromachiningprocessing.pdf

http://www.its.caltech.edu/~daw/papers/12-NW-preprint.pdf

이런 자료들을 찾기는 했는데, 여전히 순수 HF나 순수 F2 가스와 fused silica SiO2 그리고 quartz SiO2 표면의 온도별/시간별 에칭률이나 에칭반응계수를 찾지는 못했습니다. 

분명 오래된 논문들에 있을것 같은데 제가 검색어를 잘못 넣었는지 찾을수가 없네요. 혹시 wet etching 중 HF나 F2의 fused / quartz silica 에칭률 자료가 있으면 추천 부탁드립니다. 

감사합니다. 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76538
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20076
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57115
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68613
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91694
463 RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [4] 6200
462 O2, N2, Ar 플라즈마에 대한 질문입니다. [2] 6121
461 모노실란(SiH4) 분해 메카니즘 문의 6045
460 코로나방전, 이온풍 관련 문의 드립니다. [1] file 5930
459 OES를 활용한 excitation temperature 분석 질문입니다. [1] 5910
458 안녕하세요. ICP 플라즈마의 임피던스를 측정하는 방법에 대해서 문의를 드립니다. [3] 5865
457 RF calibration에 대해 질문드립니다. 5784
456 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 5732
455 RF Vpp 관련하여 문의드립니다. [1] 5648
454 ESC Chuck 기능이 Wafer 위에서의 Chemical Bond 생성을 boosting 할 수 있는지 궁금합니다. [1] 5462
453 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 5417
452 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] 5181
451 RF power에 대한 설명 요청드립니다. [1] 5115
450 매쳐에서의 load, tune에 대하여 좀 가르쳐 주세요~ [1] 5021
449 Sheath 길이와 전자의 온도 및 MFP간의 관계에 대해 질문 드립니다. [1] 4738
448 CCP 설비에서 Vdc, Vpp과 Power에 대해 문의드립니다. [1] file 4712
447 챔버내 Arcing 발생 개선안에 대해 질문드립니다. [2] 4360
446 ESC 사용하는 PVD 에서 Center tap bias의 역할 4293
445 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2] 4239
444 플라즈마 색 관찰 [1] 4191

Boards


XE Login