안녕하세요. 카이스트에서 석사 1년차로 있는 대학원생입니다.

 

Single probe로 electron energy probability distribution을 구할 때, low energy electron은 bulk plasma에서 평형 상태에 도달한 전자들을 지칭하고 high energy electron은 cathode에서 방출되고 probe sheath를 통해 bulk plasma로 가속되는 전자들을 지칭하는 것으로 알고 있습니다.

 

이 두 그룹의 전자들을 구분할 수 있는 식이 따로 있는지 궁금합니다. 실험을 통해 얻은 EEPF에서 몇 eV부터 몇 eV까지는 low energy electrons이고 몇 eV부터 몇 eV까지는 high electrons이다 라는 형태의 답을 얻고 싶습니다.

 

감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] 76726
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20172
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57166
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68696
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92274
469 자료 요청드립니다. [1] 6205
468 O2, N2, Ar 플라즈마에 대한 질문입니다. [2] 6175
467 모노실란(SiH4) 분해 메카니즘 문의 6069
466 코로나방전, 이온풍 관련 문의 드립니다. [1] file 5992
465 OES를 활용한 excitation temperature 분석 질문입니다. [1] 5926
464 안녕하세요. ICP 플라즈마의 임피던스를 측정하는 방법에 대해서 문의를 드립니다. [3] 5900
463 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 5836
462 RF calibration에 대해 질문드립니다. 5806
461 RF Vpp 관련하여 문의드립니다. [1] 5676
460 ESC Chuck 기능이 Wafer 위에서의 Chemical Bond 생성을 boosting 할 수 있는지 궁금합니다. [1] 5522
459 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 5453
458 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] 5265
457 RF power에 대한 설명 요청드립니다. [1] 5150
456 매쳐에서의 load, tune에 대하여 좀 가르쳐 주세요~ [1] 5065
455 CCP 설비에서 Vdc, Vpp과 Power에 대해 문의드립니다. [1] file 4920
454 Sheath 길이와 전자의 온도 및 MFP간의 관계에 대해 질문 드립니다. [1] 4803
453 챔버내 Arcing 발생 개선안에 대해 질문드립니다. [3] 4484
452 ESC 사용하는 PVD 에서 Center tap bias의 역할 4318
451 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2] 4269
450 플라즈마 색 관찰 [1] 4257

Boards


XE Login