안녕하세요. 반도체 회사에서 근무하고있는 직장인입니다.

etch 장비에서 초기 reflect power 안정화를 위해 shunt / series 값을 tuning 하여 어느정도 개선은 하였는데

전환되는 step 에서는 reflect power 를 빠르게 안정시킬 수 있는 방법이 궁굼합니다.


번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] 76727
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20184
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57167
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68699
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92278
449 수중방전에 대해 질문있습니다. [1] 501
448 [CVD] 막 증착 관련 질문입니다. [4] 1295
447 RPS를 이용한 유기물 식각장비 문의 [1] 756
446 플라즈마용사코팅에서의 carrier gas [1] 804
445 RF MATCHING 관련 교재 추천 부탁드립니다 [1] 854
444 RF tune position 과 Vrms의 관계가 궁금합니다 [1] 968
443 Frequnecy에 따라 플라즈마 영역이 달라질까요? [1] 558
442 Ar/O2 ICP 플라즈마 관하여 [1] 1660
441 염소발생 전기분해 시 스파크 발생에 관해 질문드립니다. [1] file 390
440 magnetic substrate와 플라즈마 거동 [3] 472
439 플라즈마 세라믹코팅후 붉은 이유는? 2327
438 Pecvd 장비 공정 질문 [1] 1661
437 CCP 챔버 접지 질문드립니다. [1] file 1324
436 DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다. [1] 2316
435 Gas 별 Plasma 색 관련 질문입니다. [1] 3444
434 RF magnetron sputtering시 플라즈마 off현상 [1] 666
433 RF Generator 주파주에 따른 Mathcer Vrms 변화. [1] 1191
432 플라즈마 self bias 값과 압력, 파워의 상관관계에 대해 질문이 있습니다. [1] 2127
431 산소 플라즈마에 대한 질문입니다... 487
430 수중 속 저온 플라즈마 방전 관련 질문 드립니다 [2] file 589

Boards


XE Login