안녕하세요 서울대학교 박사과정 학생입니다. 

실험을 설계하는중 플라즈마 공정에 관해서 모르는 점이 많아서 여쭤봅니다. 

O2 Plasma etch공정에서 저희가 sample이 받는 Total 플라즈마 에너지 혹은 etch rate을 일정하게 
유지하면서 Power를 바꿔보고싶습니다. 가스 flow rate 와 가스 종류, 시간은 바꾸지 않고 power와 pressure만 컨트롤 해서 유지가 가능할까요? 이렇게 할 경우에 Power가 바뀔시 Pressure가 어떤식으로 바껴야 Plasma energy를 가능한 일정하게 유지할 수있는지를 알수있는 식이나 상관관계가 있나요? 
예를 들어서,  power: 50W, 에서 100W로 두배 올릴때 압력은 어떤 변화를 가지게 되나요?
정확한 수치를 계산하는 목적이 아닌 대략적으로라도 실험을 일관성 있게 진행하려는 목적으로 질문을 드립니다. 
답변 부탁드리겠습니다. 


감사합니다. 
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] 76726
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20172
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57166
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68696
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92274
449 RF chamber에서.. particle(부유물) 와 RF reflect power연관성 [1] 4176
448 SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [1] 4146
447 RPSC 관련 질문입니다. [2] 4008
446 the lines of magnetic  induction are frozen into the perfectly conducting material에 대한 질문 [1] file 3977
445 Plasma 식각 test 관련 문의 [1] 3964
444 ICP plasma에서 RF bias에 대한 문의가 있습니다 [2] 3953
443 Deposition 진행 중 matcher(shunt,series) 관계 질문 [3] 3915
442 HF + LF 사용 중, LF와 POWER와의 관계에 대한 질문입니다. [1] 3903
441 DC스퍼터링과 RF스퍼터링에서의 처음 전자의 출처와 처음 이온의 생성 질문 [2] 3804
440 RIE에서 O2역할이 궁금합니다 [4] 3766
439 진공장치 챔버내 산소 또는 수분 제거 방법에 대해 [1] 3746
438 Descum 관련 문의 사항. [1] 3721
437 CCP/ICP 의 플라즈마 밀도/균일도 에 대해서 질문이 있습니다. [3] 3699
436 Vpp, Vdc 측정관련 문의 [1] 3686
435 ICP-RIE process 및 plasma에 대해 질문있습니다. [2] 3645
434 플라즈마 임피던스와 Vpp가 관련이 있나요? [1] 3615
433 방전에서의 재질 질문입니다. [1] 3557
432 ESC Cooling gas 관련 [1] 3532
431 CCP 구조가 ICP 구조보다 Arcing 발생에 더 취약한가요? [3] 3531
430 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] 3526

Boards


XE Login