안녕하세요? 궁금한 사항이 있어 게시글을 남깁니다.

플라즈마를 통한 CCP etcher 의 경우 PE모드와 RIE모드가 있는것으로 알고 있습니다.

이 두경우는 상부전극에 RF를 걸어주느냐, 하부기판에 RF를 걸어주느냐에 따라 분류됨을 알고있습니다.

그런데 쉬스의 경우에는 RIE 모드에서만 기판 가까이 형성이 되고, PE 모드에서는 기판에 형성이 되지 않는다는

자료를 보아서, 궁금하여 질문을 드립니다.

감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76543
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20078
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57116
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68615
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91697
443 RF chamber에서.. particle(부유물) 와 RF reflect power연관성 [1] 4127
442 SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [1] 4122
441 the lines of magnetic  induction are frozen into the perfectly conducting material에 대한 질문 [1] file 3977
440 RPSC 관련 질문입니다. [2] 3968
439 Plasma 식각 test 관련 문의 [1] 3950
438 ICP plasma에서 RF bias에 대한 문의가 있습니다 [2] 3915
437 Deposition 진행 중 matcher(shunt,series) 관계 질문 [3] 3860
436 HF + LF 사용 중, LF와 POWER와의 관계에 대한 질문입니다. [1] 3857
435 DC스퍼터링과 RF스퍼터링에서의 처음 전자의 출처와 처음 이온의 생성 질문 [2] 3764
434 Descum 관련 문의 사항. [1] 3698
433 진공장치 챔버내 산소 또는 수분 제거 방법에 대해 [1] 3673
432 RIE에서 O2역할이 궁금합니다 [4] 3668
431 Vpp, Vdc 측정관련 문의 [1] 3638
430 ICP-RIE process 및 plasma에 대해 질문있습니다. [2] 3626
429 CCP/ICP 의 플라즈마 밀도/균일도 에 대해서 질문이 있습니다. [3] 3618
428 플라즈마 임피던스와 Vpp가 관련이 있나요? [1] 3566
427 방전에서의 재질 질문입니다. [1] 3554
426 ESC Cooling gas 관련 [1] 3515
425 CCP 구조가 ICP 구조보다 Arcing 발생에 더 취약한가요? [3] 3499
424 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] 3491

Boards


XE Login