안녕하세요~ ETCH ENG'r 입니다.

몇가지 질문 드리려 가입했습니다.

1. W ETCH 시에 SF6 GAS를 이용하게 되는데 이 경우 WFx의 Radical이 발생하게 됩니다. 이 Radical이 특히 Chamber내에 Polymer를 많이 발생시키는 건지 궁금합니다. (옛날 논문을 참고해보면 이 공정 자체가 더러운 공정이라는 말이 있어서요..)

2. W ETCH 후 ISD 진행시에 NF3 Gas를 사용하는데 이게 어떤 반응식을 통해 Paticle 제거 효과를 보는건지 궁금합니다.

답변 달아주시면 감사하겠습니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [181] 74898
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 18754
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 56234
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 66726
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 88156
379 Plasma 에서 Coupled (결합) 의 의미 [1] 922
378 고진공 만드는방법. [1] 898
377 PDP 방전갭에 따른 휘도에 관해 질문드려요 [1] 391
376 플라즈마 절단시 C와 N의 결합가능성 [2] 631
375 플라즈마 진단에서 rogowski 코일 관련 질문 드립니다. [1] 1252
374 Tribo-Plasma 에 관해서 질문드리고 싶습니다. 432
373 코로나 전류에 따른 발생되는 이온의 수와, 하전에 영향을 미치는 요소에 대해서 질문드립니다 [1] 656
372 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 4680
371 플라즈마 압력에 대하여 [1] 2612
370 RF plasma 증착 시 arcing 관련하여 질문드립니다. [1] 2989
369 활성이온 측정 방법 [1] 506
368 rf chamber 내에 생기는 byproduct에 대한 질문 있습니다. [1] 1320
367 Etch 공정 Dummy 사용이유가 뭔지 알 수 있을까요? [1] 1872
366 ICP와 CCP에서의 Breakendown voltage [1] 1544
365 sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지 [1] 2098
364 Remote Plasma 가 가능한 이온 [1] 1573
363 CVD CCP/ICP 사용간 Wafet Bias volt 줄어듬 현상 문의드려요 [1] 1732
362 DBD Plasma Actuator 원리에 대한 질문입니다. [1] 701
» 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. 1055
360 플라즈마에서 가속 전압 또는 RF 파워 관련 질문드려요. [1] 1104

Boards


XE Login