안녕하세요, 플라즈마에 대해서 공부 중인 학생입니다.

다중 주파수를 이용한 ccp 타입의 플라즈마 식각 장치에서 바이어스 전극에 저주파 전력을 인가함으로써, 이온 입사에너지를 증대된다고 배웠는데요. 어떠한 이유로 저주파 전력을 인가시, 이온 입사 에너지가 증대되는지 궁금해서 질문을 남기게 되었습니다.

그리고, 다중 주파수를 이용한 ccp 타입의 플라즈마 식각장치에서 전극에 고주파 전력을 인가함으로써, 플라즈마 밀도에 정상파 효과가 발생한다고 해당 랩의 논문에서 읽었는데요. 어떠한 이유로 정상파 효과가 발생하고, 고주파 전력을 100MHz --> 60MHz로 변경시 정상파 효과가 줄어드는지 궁금해서 질문을 남기게 되었습니다.

답변을 주시면, 공부하는데 많은 도움이 될 것같습니다.  답변을 부탁드립니다.(- -)(_ _)(- -)

감사합니다. 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [313] 79614
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 21346
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 58139
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69708
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 94621
484 CCP에서 전자밀도증가 -> 임피던스 감소 과정 질문있습니다. [Breakdown과 impedance] [3] 1708
483 전극에 따른 힘의 크기 질문드립니다. [웨이퍼 bending] [1] file 1710
482 plasma 형성 관계 [Paschen's law, 플라즈마 주파수] [1] 1713
481 PECVD 증착에서 etching 관계 [PECVD 증착] [1] 1719
480 Ar/O2 ICP 플라즈마 관하여 [ICP match impedance] [1] 1751
479 ICP reflecot power [Insulator와 rf leak] [1] 1752
478 안녕하세요 교수님. ICP관련하여 문의드립니다. [Faraday shield] [1] 1755
477 Matcher 구성에 따른 챔버 임피던스 영향에 대해 문의드립니다. [Matcher와 Plasma Impedence] [1] 1759
» 다중 주파수를 이용한 플라즈마 식각에서 이온 에너지 제어 관련 [Radio-Frequency Plasma] [1] 1786
475 압력 변화와 Ch Impedance 상관관계 질문 [플라즈마 임피던스, 운전압력조절 방전 조건] [1] 1810
474 Pecvd장비 공정 질문 [Dusty plasma와 벽면 particle 제어] [1] 1824
473 EEDF, IEDF, Cross section관련 질문 [Plasma spectroscopy] [1] 1831
472 터보펌프 에러관련 [터보 펌프 구동 압력] [1] 1849
471 CCP기반 power와 Etch rate 관계에 대해 여쭈어드립니다. [Plasma chemistry] [3] 1855
470 ICP와 CCP에서의 Breakdown voltage [Breakdown과 E-H transition] [1] 1875
469 RF 전압과 압력의 영향? [DC glow 방전, Paschen's Law] [1] 1879
468 standing wave effect에 대한 질문이 있습니다. [Standing wave 운전 조건, 안테나 설계] [1] 1904
467 Ashing 공정에 필요한 O2plasma에 대해 궁금한 점이 있습니다. [전자 충돌 이온화 반응 해리 반응 흡착 반응] [1] 1906
466 가입인사드립니다. [1] 1932
465 CVD품질과 RF Delibery power 관계 질문 [RF power와 plasma information] [1] 1933

Boards


XE Login