Etch Dry Etching Uniformity 개선 방법

2016.03.02 17:46

돌맹 조회 수:4269

안녕하세요? nano imprint 및 etching을 이용하여 패턴 가공을 하는 직장인 입니다.

Al 에칭 시 전체적인 Uniformity가 잘나오지 않습니다. 항상 한쪽으로(같은 방향) 쏠리어 에칭이 됩니다.

여러 조건들 SRC,Bias 파워,유량 조절, 압력 조절 등 조건 변경하여 해보았으나 마찬가지 형태로 진행이 됩니다.

Etcher 장비는 최대 8inch 까지 가능한 장비이며 에칭 가스는 Cl2, BCl3 사용 중입니다.


uniformity 개선 관련하여 어떠한 방법이 있을까요?

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] 76721
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20172
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57165
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68696
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92273
448 3 stub 정합에 대해 궁금합니다. [1] 1911
447 RF generator 관련 문의드립니다 [3] 1914
446 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [1] 1933
445 Remote Plasma 가 가능한 이온 [1] 1941
444 13.56MHz resonator 해석 관련 문의 [1] 1950
443 플라즈마 띄울때..ㅠㅠ!!? [1] 1951
442 안녕하세요 ICP dry etching 관련 질문사항드립니다! [1] 1951
441 잔류가스분석기(RGA)에 관하여 질문드립니다. [1] 1961
440 ICP power와 ion energy사이의 관계에 대해서 문의드립니다. [2] 1970
439 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [1] 1981
438 CVD (CCP) 공정의 Chamber seasoning과 플라즈마 밀도 [1] 1984
437 플라즈마 에칭 과 표면처리 의 차이점 질문드립니다. [1] 1984
436 RPG Cleaning에 관한 질문입니다. [2] 2001
435 ESC 표면 온도랑 식각률의 차이가 어떤 관계로 있는걸까요?? [1] 2008
434 chamber impedance [1] 2009
433 Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [1] 2009
432 LF Power에의한 Ion Bombardment [2] 2013
431 doping type에 따른 ER 차이 [1] 2049
430 플라즈마 self bias 값과 압력, 파워의 상관관계에 대해 질문이 있습니다. [1] 2126
429 플라즈마 관련 기초지식 [1] 2127
쓰기
태그

Boards

XE Login