ICP glass 기판 ICP 에서 Vdc 전압
2006.11.13 04:46
안녕하세요. 교수님.
플라즈마를 공부하는 학생들이나, 실무에서 플라즈마를 접하는 모든
엔지니어분들의 배움의 장을 열어주시는 교수님께 깊은 감사를 드립니다.
저는 현재 디스플레이업체에서 드라이에칭 설비를 운영하는 공정엔지니어인 김 영욱 이라고 합니다.
저는 석사과정에서는 ICP를 이용하여 반도체 배선용 산화막 공정을 연구하였습니다.
현재 디스플레이업체로 온 이후로는,
실리콘 기판이 아닌, glass를 가지고, 식각공정을 개발하고 있습니다.
석사과정과 동일하게 ICP를 이용하여 식각을 하고 있으나,
가장큰 차이는 반도체식각에서 가장 중요시 하게 조절하는 Vdc (Self bias voltage)가,
바이어스전력과 무관하게 영으로 표시된다는 것이 가장 큰 차이로 느켜집니다.
이와 관련하여 교수님께 몇가지 질문을 드리고 자 합니다.
1. 절연체인 glass 위에서 Vdc가 표시되는 이유가 잘 이해가 되지않습니다.
2. Vdc가 비록 영으로 표시되더라고, 인가하는 바이어스 전력(Watt)과 연계하여
대략적인 Vdc를 추론하는 방법은 없는지요?
3. 산업현장에서는 Vdc 대신에 ICP의 소스파워(source power)와 바이어스파워(bias power)를
통해 측정되는 Peak to Peak 전압 (Vpp_S, Vpp_b)을 중요한 파라미터로 활용하고 있습니다.
이들 파라미터가 가지는 의미에 대해서 알고 싶습니다.
많은 질문을 드린것 같습니다.
항상 건강하시고, 좋은 연구 많이 하시길 기원합니다.
댓글 0
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] | 76538 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20076 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57115 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68613 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 91694 |
424 | Plasma 발생영역에 관한 질문 [2] | 1448 |
423 | glass에 air plasma 후 반응에 대해 질문이 있습니다. [1] | 440 |
422 | OES를 활용한 excitation temperature 분석 질문입니다. [1] | 5910 |
421 | 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [1] | 1173 |
420 | 해수에서 플라즈마 방전 극대화 방안 [1] | 515 |
419 | 고전압 방전 전기장 내 측정 [1] | 1058 |
418 | RF 변화에 영향이 있는건가요? | 17505 |
417 | 코로나 방전 처리 장비 문의드립니다. [1] | 462 |
416 | RIE 공정시에 형성되는 두 효과를 분리해 보고 싶습니다. [1] | 835 |
415 | 코로나 전류가 0가까이 떨어지는 현상 [1] | 708 |
414 | etching에 관한 질문입니다. [1] | 2243 |
413 | 코로나 방전의 속도에 관하여... [1] | 3434 |
412 | RF Vpp 관련하여 문의드립니다. [1] | 5648 |
411 | DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] | 5417 |
410 | (PAP)plasma absorption probe관련 질문 [1] | 477 |
409 | Si Wafer Broken [2] | 2472 |
408 | Depo시 RF 초기 Reflect 관련하여 문의드립니다. [1] | 1417 |
407 | I-V characteristic에 관하여 질문이 있습니다. [1] | 1294 |
406 | 플라즈마 기초에 관하여 질문드립니다. [1] | 934 |
405 | 플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [1] | 2243 |