안녕하세요..

저는 반도체회사에 근무하는 직장인입니다

RF Generator와 Impedance 관련 궁금한 것이 있어 자문을 얻고자합니다


현재 CVD 공정에서 일하고 있으며, ICP 설비를 다루고 있는데,

동일한 설비이나 Turbo Pump Model이 달라(RPM이 다름) 동일한 Gas 량을 Chamber에 넣어도 Chamber Pressure에 차이가 납니다

실제 공정진행 시 4.7mT,  6.7mT로 약 2mT 차이가 발생하는데요..

이러한 경우에 챔버의 Impedance에도 차이가 나는지, 또 차이가 난다면 어느정도가 나는지 알고 싶습니다.


또 하나는 RF Generator에 관한 질문인데요..

RF Generator는 2MHz를 사용하며, 3000KW출력을 내는 4개의 P/A Board로 구성되어 있어 최대 12000KW 출력을 낼수 있습니다.

P/A Board간의 Current Ballance가 중요하다고 하는데, 왜 중요한지 알고 싶으며,

현재 P/A Board 의 발열에 의한 Burnning 문제가 있는데, 이 Board 간 Current Ballance가 발열에도 영향을 미치는지 알고 싶습니다.


수식으로 설명이 가능하다면 더 이해가 잘 될 거 같은데.. 답변 부탁드립니다.


 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76542
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20078
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57116
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68615
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91697
423 glass에 air plasma 후 반응에 대해 질문이 있습니다. [1] 442
422 OES를 활용한 excitation temperature 분석 질문입니다. [1] 5911
421 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [1] 1173
420 해수에서 플라즈마 방전 극대화 방안 [1] file 515
419 고전압 방전 전기장 내 측정 [1] file 1058
418 RF 변화에 영향이 있는건가요? 17505
417 코로나 방전 처리 장비 문의드립니다. [1] 463
416 RIE 공정시에 형성되는 두 효과를 분리해 보고 싶습니다. [1] 835
415 코로나 전류가 0가까이 떨어지는 현상 [1] 708
414 etching에 관한 질문입니다. [1] 2243
413 코로나 방전의 속도에 관하여... [1] 3435
412 RF Vpp 관련하여 문의드립니다. [1] 5649
411 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 5423
410 (PAP)plasma absorption probe관련 질문 [1] 477
409 Si Wafer Broken [2] 2473
408 Depo시 RF 초기 Reflect 관련하여 문의드립니다. [1] 1417
407 I-V characteristic에 관하여 질문이 있습니다. [1] 1296
406 플라즈마 기초에 관하여 질문드립니다. [1] 934
405 플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [1] 2247
404 OES 원리에 대해 궁금합니다! [1] 26028

Boards


XE Login