RPS를 이용하여 SiO2를 식각을 하려 하는데요..

가스는 NF3, NH3, O2를 이용하려 합니다.

NF3를 RPS쪽으로 흘려서 Plasma로 인가를 시키고..  NH3는 Gas상태로 다른 라인을 이용하여 함께 넣어 보았는데요...

SiO2가 생각보다 Etching이 되지 않네요...

어떤조건을 건드려 보는게 SiO2 에칭에 가장 효과 적일까요..?

조언 부탁 드립니다.


번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [143] 5798
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 17210
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 53021
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 64471
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 85086
338 가입인사드립니다. [1] 1809
337 문의 드립니다. [1] 727
336 analog tuner관련해서 질문드립니다. [1] 476
335 dbd-플라즈마 질문있어욤!!!!! [1] file 1236
334 O2 plasma etching 관련 질문이 있습니다. [1] 1210
333 DC Magnetron Sputter 플라즈마 진단 [1] 841
332 O2, N2, Ar 플라즈마에 대한 질문입니다. [2] 4437
331 강의를 들을 수 없는건가요? [2] 1269
330 입자에너지에따른 궤도전자와 핵의 에너지loss rate file 326
329 안녕하세요. ICP 플라즈마의 임피던스를 측정하는 방법에 대해서 문의를 드립니다. [3] 5223
328 3-body recombination 관련 문의드립니다. [2] 704
327 RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [4] 5332
326 핵융합 질문 [1] 391
325 Dusty Plasma의 진단에 관해서 질문드립니다. [1] file 522
324 잔류가스분석기(RGA)에 관하여 질문드립니다. [1] 1625
323 CCP에서 DIelectric(유전체)의 역활 [1] 7361
322 ICP Chamber Type의 Belljar Arcing관련 문의드립니다. [2] 1091
321 poly식각을 위한 조언 부탁드립니다. file 1262
» SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] 3945
319 코로나방전, 이온풍 관련 문의 드립니다. [1] file 4957

Boards


XE Login