Sheath PE 모드와 RIE 모드에서 쉬스 구역에 대한 질문
2017.05.31 11:57
안녕하세요? 궁금한 사항이 있어 게시글을 남깁니다.
플라즈마를 통한 CCP etcher 의 경우 PE모드와 RIE모드가 있는것으로 알고 있습니다.
이 두경우는 상부전극에 RF를 걸어주느냐, 하부기판에 RF를 걸어주느냐에 따라 분류됨을 알고있습니다.
그런데 쉬스의 경우에는 RIE 모드에서만 기판 가까이 형성이 되고, PE 모드에서는 기판에 형성이 되지 않는다는
자료를 보아서, 궁금하여 질문을 드립니다.
감사합니다.
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오해가 있어 바로 잡습니다. CCP에서 상/하부 전극에는 모둔 쉬스가 형성되어 있는 obstructed discharge 구조를 갖게 합니다.
하지만 power 전극쪾에는 self-bias가 형성되어 (self bias 는 아래에도 언급한 바 있으니 게시물을 참고하세요) sheath energy가 크며,
반대 전극에는 에너지가 작은 sheath 가 형성되게 됩니다. 여기서 시편(wafer)를 놓은 두 경우가 만들어지는데, 이온 에너지가 큰 조건이 필요하면 당연히 power electrode 쪽에 시편을 놓고 처리하게 하고 (RIE 모드 운전), 낮은 에너지의 이온 조사가 필요한 경우라면 power electrode의 반대 전극에 시편을 놓고 운전 (PE 모드) 하여, 이름을 reactive ion etch mode (강한 이온을 쓴다) 와 plasma etch 모드 (약한 이온을 쓴다)라는 표현이 나온 것으로 예상됩니다. 따라서 플라즈마 전위는 같으나 전극 표면의 전위가 다름으로 쉬스 에너지 크기를 이용하는 것으로, RIE 혹은 PE 표현에서 현상의 이해에 혼선을 유발할 수 있음을 유면할 필요는 있습니다.