안녕하세요 김곤호 교수님.

저는 RF 관련 업무를 하는 회사원입니다.

다름이 아니라 RF calibration에 대해 질문 드리고 싶은데요,

RF calibration의 원리와 mechanism이 어떻게 되는건가요?

Open, short, load 소자에 대한 측정값과 기본 응답 값 사이의 차이를 계산해서 보상한다, cable길이에 의한 위상차를 보정하고 주변 잡음에 의한 영향을 상쇄하는 과정이다.

 

정도만 알고 있고, 자세한 메커니즘은 찾아보기 힘들어 질문 드립니다. 그러다보니 캘리브레이션을 할 때 기계적으로 버튼을 누른다는 생각을 지울수가 없네요...

 

calibration 되는 메커니즘에 대한 설명 부탁드립니다!

더불어 고주파(수M~수백MHz) 수준의 주파수를 cal할때 주의점이 있다면, 주의점도 알려주시길 부탁드립니다

 

감사합니다. 새해복많이 받으십시오

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [266] 76682
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20152
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57153
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68674
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92189
427 N2 Plasma 상태에 대해서 질문 드립니다. [1] 2184
426 Etch 공정 Dummy 사용이유가 뭔지 알 수 있을까요? [1] 2223
425 ECR 플라즈마에 대해서 질문 드립니다. [1] 2228
424 플라즈마볼 제작시 [1] file 2232
423 부도체를 타겟으로 한 플라즈마 형성 원리 [1] 2234
422 Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate [1] 2252
421 etching에 관한 질문입니다. [1] 2257
420 CCP plasma에서 gap과 Pressure간의 상관관계 [1] 2262
419 RF frequency와 다른 변수 상관관계 질문 2280
418 플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [1] 2296
417 Ar과 O2 plasma source에 따른 ignition condition에 대하여 질문 있습니다. [1] 2305
416 교수님 안녕하세요, icp 관련 질문이 있습니다. [2] 2307
415 RF 주파수와 공정 Chamber 크기의 상관관계 [1] 2307
414 안녕하세요? 임피던스 매칭관련 질문드립니다. [1] 2308
413 PRECOATING 공정에서 SHOWERHEAD <-> STAGE HEATER 간 GAP 과 DEPO 막질의 THK 와의 연관성.... [1] 2309
412 sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지 [1] 2311
411 DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다. [1] 2311
410 Wafer particle 성분 분석 [1] 2315
409 Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] 2319
408 임피던스 실수부에 대해 궁금한 점이 있습니다. [4] 2326

Boards


XE Login