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공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 65117
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 85209
339 SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [1] 3612
338 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2] 3631
337 ESC 사용하는 PVD 에서 Center tap bias의 역할 3896
336 the lines of magnetic  induction are frozen into the perfectly conducting material에 대한 질문 [1] file 3956
335 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] 3984
334 안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [1] 3988
333 matcher에서 load,tune의 역할이 궁금합니다. [1] 4030
332 Sheath 길이와 전자의 온도 및 MFP간의 관계에 대해 질문 드립니다. [1] 4143
331 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 4286
330 O2, N2, Ar 플라즈마에 대한 질문입니다. [2] 4481
329 RF power에 대한 설명 요청드립니다. [1] 4493
328 매쳐에서의 load, tune에 대하여 좀 가르쳐 주세요~ [1] 4555
327 ESC Chuck 기능이 Wafer 위에서의 Chemical Bond 생성을 boosting 할 수 있는지 궁금합니다. [1] 4761
326 OLED에서 SF6와 CF4를 사용하는 이유를 알고 싶습니다. [1] 4803
325 코로나방전, 이온풍 관련 문의 드립니다. [1] file 4981
324 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 5014
323 RF Vpp 관련하여 문의드립니다. [1] 5118
322 안녕하세요. ICP 플라즈마의 임피던스를 측정하는 방법에 대해서 문의를 드립니다. [3] 5249
321 RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [4] 5351
320 RF calibration에 대해 질문드립니다. 5435
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