안녕하세요

반도체 관련 연구를 진행하고 있는 과정에 궁금한 부분이 있어서 글을 남기게 되었습니다.


아시는 바와 같이 J-R Type ESC는 강한 Chucking Force 대비 Process 진행 후 ESC Surface에 Residual Charge가 남아있게 되어 정전기적 힘에 의해 WF 깨짐이나 Sticking등의 문제가 발생, 추가적인 과정을 통해 잔류전하를 제거해야 합니다. 예를들어 ESC를 Ground or Reverse Voltage or Plasma Dechuck등

그중에 Plasma Dehuck를 사용한 Residual Charge 제거 원리가 궁금합니다.


1. 기본적으로 J-R Type의 ESC 에서 RF를 이용한 Etching 진행시, negative 전자로 발생한 Self DC Bias에 의해 + ion이 WF에 이온 충돌을 사용하는데

Process 과정에서 WF 표면의 Charge 관점만 생각하면 Charge가 0v가 되는게 이론상으로 맞는건가요??? (Electon Flux=Ion Flux의 개념을 기반으로)


2. 공정 Condition에 따라 WF에 잔류 전하가 + 이든 - 이든 미량으로 남아있다고 할때, Plasma Dechuck 과정으로 전하 Neutralize가 일어난다고 하는데 이 과정에서 Low Power Plasma의 전자와 이온이 WF에 입사될때 WF에 남아있는 + 와 - Charge와 Compensation 되는 과정으로 이해하면 될까요???


3. 최종적으로 Process -> Plasma Dechuck 이후에는 WF 상의 Charge가 Zero 인것이 베스트인데, 그렇지 못할경우 이론적으로 WF 상의 잔류 전하는 Positive 일지, Negative 일지 어느정도 예상할수 있을까요?


질문이 모호하긴 한데 WF 표면상의 Charge 와 Plasma Dechuck 과정의 메커니즘이 직관적으로 와닺지가 않습니다.

도움 부탁드립니다, 감사합니다...

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