안녕하세요. 반도체 회사에 근무 중인 김동조입니다.

소자제작 공정중 O2 플라즈마를 이용하여 표면을 처리하는 부분이 있습니다.

공정 조건은 300w, 300sccm 0.04mbar 이며 친수성을 위한 표면 처리를 하고 있습니다.

제가 궁금한 사항은 일반 상온에서의 표면의 플라즈마 효과가 어느정도 지속이 되는 것인가와,

플라즈마 처리를 한 상태에서 오븐에서 120도 12시간 열처리를 하였을 경우 플라즈마의 효과가 유효한 것인지 궁금합니다.

플라즈마에 관한건 이론적으로만 간단히 알고있었을뿐 회사에 들어오고 처음 사용해 보는 것이라 감이 잘 잡히지 않습니다.

번거로우시겠지만 답변 부탁드립니다.!! 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [143] 5816
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 17283
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 53109
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 64497
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 85109
338 SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [1] 3592
337 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2] 3616
336 플라즈마 장비를 사용한 실험이 가능할까요 ? [1] 3808
335 ESC 사용하는 PVD 에서 Center tap bias의 역할 3890
334 안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [1] 3925
333 the lines of magnetic  induction are frozen into the perfectly conducting material에 대한 질문 [1] file 3953
332 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] 3956
331 matcher에서 load,tune의 역할이 궁금합니다. [1] 3976
330 Sheath 길이와 전자의 온도 및 MFP간의 관계에 대해 질문 드립니다. [1] 4130
329 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 4249
328 O2, N2, Ar 플라즈마에 대한 질문입니다. [2] 4452
327 RF power에 대한 설명 요청드립니다. [1] 4472
326 매쳐에서의 load, tune에 대하여 좀 가르쳐 주세요~ [1] 4538
325 ESC Chuck 기능이 Wafer 위에서의 Chemical Bond 생성을 boosting 할 수 있는지 궁금합니다. [1] 4736
324 코로나방전, 이온풍 관련 문의 드립니다. [1] file 4963
323 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 5003
322 RF Vpp 관련하여 문의드립니다. [1] 5102
321 안녕하세요. ICP 플라즈마의 임피던스를 측정하는 방법에 대해서 문의를 드립니다. [3] 5229
320 RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [4] 5336
319 RF calibration에 대해 질문드립니다. 5416

Boards


XE Login