안녕하세요 반도체 회사에 근무하고 있는 회사원입니다.

RF Power 를 이용하여 Film을 Deposition 하는 부서에 있는데요,

주요 관리 항목 중에 RF Vpp 항목이 있습니다.

RF Vpp 관련해서 문의드릴게 있습니다.


1. Ti Film을 RF Power를 이용하여 Dep하는데, Chamber 내부에 Ti Film이 더 많이 Depo 되면 RF Vpp는 조금씩

    떨어지는데 왜 그런건지 알 수 있을까요?

    업체에서는 Vpp와 Vdc가 반비례 관계여서 Vpp는 떨어지고, Vdc가 올라가게 된다고 하는데

    실상은 Vpp와 Vdc는 모두 떨어지는 Trend를 보이고 있습니다.


2. 두 번째로 Chamber의 RF Ground 역할을 하는 Stage Heater를 교체했는데,

    이전보다 RF Vpp Level이 떨어졌습니다. 무슨 연유에서 그런건지 모르겠는데 Ground가 바뀐 것만으로도 Vpp가 떨어질 수 있을까요?


설명이 부족하지만 도움 부탁드리겠습니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [143] 5816
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 17284
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 53110
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 64497
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 85109
338 SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [1] 3592
337 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2] 3616
336 플라즈마 장비를 사용한 실험이 가능할까요 ? [1] 3830
335 ESC 사용하는 PVD 에서 Center tap bias의 역할 3890
334 안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [1] 3925
333 the lines of magnetic  induction are frozen into the perfectly conducting material에 대한 질문 [1] file 3953
332 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] 3957
331 matcher에서 load,tune의 역할이 궁금합니다. [1] 3976
330 Sheath 길이와 전자의 온도 및 MFP간의 관계에 대해 질문 드립니다. [1] 4131
329 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 4249
328 O2, N2, Ar 플라즈마에 대한 질문입니다. [2] 4452
327 RF power에 대한 설명 요청드립니다. [1] 4472
326 매쳐에서의 load, tune에 대하여 좀 가르쳐 주세요~ [1] 4538
325 ESC Chuck 기능이 Wafer 위에서의 Chemical Bond 생성을 boosting 할 수 있는지 궁금합니다. [1] 4736
324 코로나방전, 이온풍 관련 문의 드립니다. [1] file 4964
323 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 5003
» RF Vpp 관련하여 문의드립니다. [1] 5102
321 안녕하세요. ICP 플라즈마의 임피던스를 측정하는 방법에 대해서 문의를 드립니다. [3] 5229
320 RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [4] 5336
319 RF calibration에 대해 질문드립니다. 5416

Boards


XE Login