저희는 PT 처리를 위해 CCP 플라즈마를 사용하고 있습니다.

약 -7승 정도의 진공도의 챔버에서 ITO세정용으로 플라즈마 처리를 하고 있습니다.

제가 궁금한 것은 먼저


1. 표시되는 압력의 의미가 궁금합니다. mTorr이 플라즈마 내부로 유입된 기체(질소)가 나타내는 압력을 의미하는 것 맞나요?

그렇다면 챔버 내 압력 = 플라즈마의 압력 이라고 봐도 무방할까요


2. self bias값이 파워(W)가 증가할수록, 압력(mTorr)이 낮아질수록 증가하는데 그 이유를 알고 싶습니다.


3. 나타나는 값중 position이라는 값이 있습니다. 평소에는 position 값이 100을 유지하다가 플라즈마 처리를 위해

기체를 유입하면 그 값이 떨어지고 일정한 값을 유지를 하는데 이 position이 무엇을 뜻하는지 알고 싶습니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [282] 77198
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20461
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57359
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68897
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92944
446 잔류가스분석기(RGA)에 관하여 질문드립니다. [1] 1987
445 Remote Plasma 가 가능한 이온 [1] 1991
444 안녕하세요 ICP dry etching 관련 질문사항드립니다! [1] 1999
443 ICP power와 ion energy사이의 관계에 대해서 문의드립니다. [2] 2014
442 플라즈마 실험을 하고 싶은 한 고등학생입니다.... [1] 2021
441 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [1] 2026
440 chamber impedance [1] 2030
439 CVD (CCP) 공정의 Chamber seasoning과 플라즈마 밀도 [1] 2039
438 플라즈마 에칭 과 표면처리 의 차이점 질문드립니다. [1] 2041
437 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [1] 2048
436 RPG Cleaning에 관한 질문입니다. [2] 2058
435 doping type에 따른 ER 차이 [1] 2087
434 LF Power에의한 Ion Bombardment [2] 2139
433 ESC 표면 온도랑 식각률의 차이가 어떤 관계로 있는걸까요?? [1] 2150
432 [질문] Plasma 장비에 대한 Monitoring 질문 [2] 2151
431 Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [1] 2153
430 플라즈마 관련 기초지식 [1] 2166
» 플라즈마 self bias 값과 압력, 파워의 상관관계에 대해 질문이 있습니다. [1] 2169
428 양극 코로나 방전에 대한 질문입니다. [1] 2187
427 부도체를 타겟으로 한 플라즈마 형성 원리 [1] 2257

Boards


XE Login