안녕하세요.

국내 반도체장비 업체에서 Plasma etch 설비를 운용하고 있는 연구원입니다.


현재 저희 설비는 RF Bias와 Matcher를 사용하고있는데, 출력되는 parameter 중 Vpp, Vdc에 대해 궁금한 사항이 있어 질의를 드립니다.

Vpp, Vdc값들은 Matcher 출력단에서 측정하는 것으로 알고 있는데,

만약 Chuck의 Material 및 wafer의 재료가 달라졌을때 해당 값들이 달라지는데, 달라지는 이유에 대해서 궁금합니다.

Material의 유전율 및 Capasitance 특성 등이 Vpp, Vdc값에 영향을 줄 수 있는지요.

ex) Chuck의 코팅 두께가 달라진 경우 or Chuck의 코팅 material이 달라진 경우.


감사합니다. 새해복 많이 받으세요.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76539
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20076
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57115
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68613
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91695
423 부도체를 타겟으로 한 플라즈마 형성 원리 [1] 2225
422 Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate [1] 2228
421 플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [1] 2243
420 etching에 관한 질문입니다. [1] 2243
419 DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다. [1] 2246
418 CCP plasma에서 gap과 Pressure간의 상관관계 [1] 2250
417 Ar과 O2 plasma source에 따른 ignition condition에 대하여 질문 있습니다. [1] 2252
416 안녕하세요? 임피던스 매칭관련 질문드립니다. [1] 2270
415 RF frequency와 다른 변수 상관관계 질문 2273
414 RF 주파수와 공정 Chamber 크기의 상관관계 [1] 2278
413 교수님 안녕하세요, icp 관련 질문이 있습니다. [2] 2285
412 PRECOATING 공정에서 SHOWERHEAD <-> STAGE HEATER 간 GAP 과 DEPO 막질의 THK 와의 연관성.... [1] 2292
411 CCP에서 전극에 쌓이는 막질에 의한 Capacitance 변화가 궁금합니다 [1] 2293
410 sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지 [1] 2294
409 Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] 2295
408 Wafer particle 성분 분석 [1] 2304
407 임피던스 실수부에 대해 궁금한 점이 있습니다. [4] 2306
406 플라즈마 세라믹코팅후 붉은 이유는? 2318
405 RF/LF에 따른 CVD 막질 UNIFORMITY [1] 2340
404 RPS를 이용한 SIO2 에칭 [1] 2345

Boards


XE Login