안녕하세요.


저는 CVD로 탄소화합물을 합성하는 일을 하고 있습니다만, 진공장치, 플라즈마에 대해서는 전공분야가 아니다 보니 원천기술이 많이 부족합니다.


알곤 분위기의 CVD장비로 수소와 탄소 등의 가스를 사용하여 탄소화합물을 만들때 챔버 내부의 오염이 공정에 영향을 주는 것으로 파악되고 있는데, 추정하기를 챔버 내부의 산소 또는 수분의 영향으로 짐작하고 있습니다.

1. 챔버의 진공도를 어느 정도 낮추어야 산소나 수분의 영향을 거의 없도록 할 수 있을까요? 물론 UHV까지 낮추면 좋겠지만, 통상 10 -6승에서 10 -3승까지 운용하고 있는데, 이 정도의 진공도에서 산소나 수분의 영향이 어떤지 모르겠습니다.


2. 완전한 고진공(UHV)로 내리는 것 말고 산소나 수분을 효율적으로 제거하는 방법이 있는지요?

3. 챔버 내벽에 산소나 수분이 붙어 있다고 해도, 챔버 내부로 떨어져 공간에 있지 않다면(물론 내벽에서 떨어지면 공간에 있겠지만, 진공을 계속 뽑는중이라 제거가 되지 않는지?) 챔버 내부의 샘플에 영향을 줄지 아니면 외부로 배출되는 확률이 높은지 알 수 있을까요? 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] 76722
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20172
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57165
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68696
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92273
428 양극 코로나 방전에 대한 질문입니다. [1] 2173
427 N2 Plasma 상태에 대해서 질문 드립니다. [1] 2215
426 Etch 공정 Dummy 사용이유가 뭔지 알 수 있을까요? [1] 2226
425 ECR 플라즈마에 대해서 질문 드립니다. [1] 2234
424 플라즈마볼 제작시 [1] file 2234
423 부도체를 타겟으로 한 플라즈마 형성 원리 [1] 2236
422 etching에 관한 질문입니다. [1] 2259
421 Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate [1] 2260
420 CCP plasma에서 gap과 Pressure간의 상관관계 [1] 2269
419 RF frequency와 다른 변수 상관관계 질문 2281
418 플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [1] 2305
417 RF 주파수와 공정 Chamber 크기의 상관관계 [1] 2310
416 PRECOATING 공정에서 SHOWERHEAD <-> STAGE HEATER 간 GAP 과 DEPO 막질의 THK 와의 연관성.... [1] 2311
415 교수님 안녕하세요, icp 관련 질문이 있습니다. [2] 2312
414 sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지 [1] 2313
413 DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다. [1] 2313
412 Ar과 O2 plasma source에 따른 ignition condition에 대하여 질문 있습니다. [1] 2313
411 Wafer particle 성분 분석 [1] 2319
410 안녕하세요? 임피던스 매칭관련 질문드립니다. [1] 2320
409 Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] 2325

Boards


XE Login