안녕하세요.


저는 CVD로 탄소화합물을 합성하는 일을 하고 있습니다만, 진공장치, 플라즈마에 대해서는 전공분야가 아니다 보니 원천기술이 많이 부족합니다.


알곤 분위기의 CVD장비로 수소와 탄소 등의 가스를 사용하여 탄소화합물을 만들때 챔버 내부의 오염이 공정에 영향을 주는 것으로 파악되고 있는데, 추정하기를 챔버 내부의 산소 또는 수분의 영향으로 짐작하고 있습니다.

1. 챔버의 진공도를 어느 정도 낮추어야 산소나 수분의 영향을 거의 없도록 할 수 있을까요? 물론 UHV까지 낮추면 좋겠지만, 통상 10 -6승에서 10 -3승까지 운용하고 있는데, 이 정도의 진공도에서 산소나 수분의 영향이 어떤지 모르겠습니다.


2. 완전한 고진공(UHV)로 내리는 것 말고 산소나 수분을 효율적으로 제거하는 방법이 있는지요?

3. 챔버 내벽에 산소나 수분이 붙어 있다고 해도, 챔버 내부로 떨어져 공간에 있지 않다면(물론 내벽에서 떨어지면 공간에 있겠지만, 진공을 계속 뽑는중이라 제거가 되지 않는지?) 챔버 내부의 샘플에 영향을 줄지 아니면 외부로 배출되는 확률이 높은지 알 수 있을까요? 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [301] 78011
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20832
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57735
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69248
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 93623
457 ESC Cooling gas 관련 [1] 3634
456 plasma sheath 두께의 영향에 대하여 질문드립니다. [2] 3597
455 방전에서의 재질 질문입니다. [1] 3582
454 RF Power와 균일도 연관성 질문드립니다. [2] 3558
453 Bias 관련 질문 드립니다. [1] 3552
452 RF plasma 증착 시 arcing 관련하여 질문드립니다. [1] 3507
451 PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [1] 3480
450 코로나 방전의 속도에 관하여... [1] 3466
449 Matcher의 Load/Tune Position 거동에 관해 질문이 있습니다. [2] 3426
448 Etcher Chamber Wall에 의도적으로 Polymer를 증착시키고 싶습니다. [2] 3372
447 PP & PET 친수성과 접착성 유지 질문입니다. [1] 3364
446 CVD 공정에서의 self bias [1] 3330
445 electron energy distribution에 대해서 질문드립니다. [2] 3323
444 matcher, ESC, Heater에 대해 질문 드립니다. [3] 3307
443 M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다. [1] 3234
442 고온의 플라즈마와 저온의 플라즈마의 차이 [1] 3214
441 아르곤이나 기타 플라즈마 토치에 소량의 수증기를 집어넣으면 온도가 떨어지는 현상에 대해서 3174
440 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 3159
439 RF matcher와 particle 관계 [2] 3150
438 Plasma etcher particle 원인 [1] 3119

Boards


XE Login