안녕하세요. 저는 디스플레이 건식식각 장비회사에 다니고 있습니다.

 

저희 회사는 ICP를 사용하고 있습니다. Source Vpp, Bias Vpp라는 parameter가 있는데 제가 알기로는 RF 파형의 전압 값으로 RF power와 비례한다고 알고 있습니다. 그런데 식각 시 Source와 Bias power는 일정하게 유지함에도 불구하고 Vpp가 변동됩니다. Process가 진행되면서 Source Vpp는 증가하는 경향, Bias Vpp는 감소하는 경향을 보입니다. 

 

Bias Vpp는 -Vdc(표면전위)로 점차 떨어져 안정화된다고 하셨는데, Source Vpp는 왜 증가한 후 안정화되는 건가요?

 

박막이 식각됨에 따라 플라즈마의 임피던스가 변해서 Vpp가 변동이 생기는 건가요? 그렇다면 왜 Source Vpp와 Bias Vpp가 상반되는 거동을 보이는 것인지요? 고민해봐도 잘 모르겠어서 부득이하게 질문 드립니다.

 

참고로 저희 장비의 Vdc sensor는 capacitor의 원리를 사용해 측정하기 때문에 전위변동 -> 안정화 후에는 0으로 수렴하는 경향을 가지고 있습니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76539
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20076
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57115
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68613
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91695
423 코로나 방전의 속도에 관하여... [1] 3435
422 Gas 별 Plasma 색 관련 질문입니다. [1] 3390
421 dry etching중 온도, 진공도, glass상태에 따라 chucking force가 변화하는지요? [1] 3385
420 RF plasma 증착 시 arcing 관련하여 질문드립니다. [1] 3379
419 Bias 관련 질문 드립니다. [1] 3362
418 plasma sheath 두께의 영향에 대하여 질문드립니다. [2] 3315
417 PP & PET 친수성과 접착성 유지 질문입니다. [1] 3314
416 Etcher Chamber Wall에 의도적으로 Polymer를 증착시키고 싶습니다. [2] 3308
415 RF Power와 균일도 연관성 질문드립니다. [2] 3224
414 PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [1] 3188
413 electron energy distribution에 대해서 질문드립니다. [2] 3167
412 아르곤이나 기타 플라즈마 토치에 소량의 수증기를 집어넣으면 온도가 떨어지는 현상에 대해서 3163
411 M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다. [1] 3144
410 matcher, ESC, Heater에 대해 질문 드립니다. [3] 3136
409 Matcher의 Load/Tune Position 거동에 관해 질문이 있습니다. [2] 3111
408 Plasma 에칭 후 정전기 처리 [3] 3043
407 CVD 공정에서의 self bias [1] 3032
406 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 2933
405 Plasma etcher particle 원인 [1] 2923
404 HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Deposition Rate 감소 현상 문의 [1] 2879

Boards


XE Login