안녕하세요. 반도체회사 설비 담당 엔지니어입니다.

일단 저의 부서는 PKG공정이며 한 설비에 CVD chamber가 붙어서 부수적인 역할을 하고있습니다.

따라서 CVD(RF)에 관련된 지식이 많이 부족한 상태입니다.

그와중에 양산을 진행하다보니 RF파라미터에 문제가 생겼을때 단순 parts를 교체해가며 경험적으로 원인을 찾고

문제를 해결하고있습니다...

이에 답답함을 느껴 실제 이론도 생각해가며 문제를 해결하고 싶다는 생각이 많이 들더라구요.

그래서 현업에서 궁금했던 내용들 몇가지를 여쭤보고 싶습니다.


1. Chamber PM 후 depo 진행시 Shunt(load cap), voltage, current 값이 모두 상승하는 현상이 있었습니다.

    제가 질문방에서 검색하고 공부한 내용으로

    > shunt는 50옴으로 맞추기위해 sensing 해가면서  resistance를 맞춘다 (임피던스의 실수성분)

    > series는 reactance 성분을 없앤다 (임피던스의 허수성분) 라고 알고 있는데,

    >>>> 그렇다면 shunt가 기존대비 높아진다는것은 pm후 chamber내의 resistance가 높아졌고

             높아진 Resistance를 줄이기위해 shunt가 높아진것인가요??? (pF총용량대비 퍼센트가 높아졌고)

           >> voltage와 current가 함께 높아진것도 상관관계가 있는 것인가요?


2. 위에 적은것처럼 Series가 리액턴스 성분을 없대준다고 알고 있는데 또 다른글에서는 phase를 줄여준다고 하는것을 본적있습니다.

    Series가 리액턴스 즉, 허수성분을 없애는것이 V,I의 phase를 없애는것과 동일한 내용인가요?


3. 예를들어 300w의 RF를 켰을때 1초간격의 raw data를 보면 Delivery power (v*i*cos(phase))가 300W까지

    올라가도(안정화돼도) phase는 계쏙 -70대를 유지하고 있었습니다.

    이론상 phase가 없어야 최대전력을 출력하는 것이고 300W를 제대로 출력하고있다면 phase가 0이어야 하는게 아닌가요?


미약한 지식을 가지고 두서없게 질문드린것 같아 죄송합니다ㅠㅠ

게시판에서 너무 많은도움받고 있습니다~ ㅎㅎ 항상 감사합니다!!

확인 후 답변 부탁드리겠습니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76539
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20076
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57115
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68613
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91695
423 코로나 방전의 속도에 관하여... [1] 3435
422 Gas 별 Plasma 색 관련 질문입니다. [1] 3390
421 dry etching중 온도, 진공도, glass상태에 따라 chucking force가 변화하는지요? [1] 3384
420 RF plasma 증착 시 arcing 관련하여 질문드립니다. [1] 3379
419 Bias 관련 질문 드립니다. [1] 3362
418 plasma sheath 두께의 영향에 대하여 질문드립니다. [2] 3315
417 PP & PET 친수성과 접착성 유지 질문입니다. [1] 3314
416 Etcher Chamber Wall에 의도적으로 Polymer를 증착시키고 싶습니다. [2] 3308
415 RF Power와 균일도 연관성 질문드립니다. [2] 3224
414 PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [1] 3188
413 electron energy distribution에 대해서 질문드립니다. [2] 3167
412 아르곤이나 기타 플라즈마 토치에 소량의 수증기를 집어넣으면 온도가 떨어지는 현상에 대해서 3163
411 M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다. [1] 3144
410 matcher, ESC, Heater에 대해 질문 드립니다. [3] 3136
409 Matcher의 Load/Tune Position 거동에 관해 질문이 있습니다. [2] 3111
408 Plasma 에칭 후 정전기 처리 [3] 3043
407 CVD 공정에서의 self bias [1] 3032
406 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 2933
405 Plasma etcher particle 원인 [1] 2923
404 HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Deposition Rate 감소 현상 문의 [1] 2879

Boards


XE Login