Plasma in general 데포 중 RF VDC DROP 현상
2021.07.29 15:44
안녕하세요 반도체회사 장비 엔지니어입니다.
박막 과정 데포 중 RF VDC가 드랍 되는 현상이 있습니다. GAS양, CH 내 PRESSURE, 등등 변하는 것이 없는데 왜 갑자기 DROP 되는 걸까요?
영향을 줄만한 인자가 어떤 것이 있을까요? 장비를 잘 쓰다가 갑자기 DROP이 일어나고 그 이후는 다시 올라 오지 않습니다 ㅠ
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] | 76726 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20172 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57165 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68696 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92273 |
| 768 | Etch Plasma 관련 문의 건.. [1] | 232 |
| 767 | 챔버 내 전자&이온의 에너지 손실에 대해 [1] | 123 |
| 766 | RF 반사와 전기에서 쓰이는 무효전력 반사 차이점이 궁금합니다. [1] | 80 |
| 765 | FTIR분석을 이용한 SiO2성막 해석 | 169 |
| 764 | 플라즈마 에너지가 온도를 높혀주는 역할 [1] | 318 |
| 763 | ICP 방식에서 RF Foward Power를 상향하면 ER이 빨라지는 이유 [1] | 351 |
| 762 | AP plasma 공정 관련 문의 [1] | 197 |
| 761 | Cu migration 방지를 위한 스터디 [1] | 205 |
| 760 | PECVD설비 Matcher 아킹 질문 [2] | 547 |
| 759 | Remote plasma source의 주파수 400kHz 이유 [1] | 547 |
| 758 | DBD 플라즈마 작동 시 유전체에 가해지는 데미지 [1] | 136 |
| 757 | CCP 설비 Capacitance 및 Impedance 변화에 따른 Vpp 변동성 문의 [2] | 405 |
| 756 | 플라즈마를 이용한 물속 세균 살균 질문드립니다. [1] | 189 |
| 755 | gas에 따른 deposition rate 및 저항질문 있습니다 [1] | 250 |
| 754 | PECVD Uniformity [1] | 502 |
| 753 | 플라즈마를 알기 위해선 어떤 과목을 공부해야 할까요? [1] | 634 |
| 752 | 대기압 플라즈마 문의드립니다 [1] | 248 |
| 751 | standing wave effect, skin effect 원리 [1] | 358 |
| 750 | Plasma 장비 소재 특성 관련하여 문의드립니다. [1] | 306 |
| 749 | RF 주파수에 따른 차이점 [1] | 699 |
저도 원인에 대한 확신은 없습니다. 다만, 관련되는 현상으로 floating electrode 표면에서 형성되는 bias을 Vdc라 하니, Vdc, 혹은 부유 전극에 selfbias가 형성되는 과정을 공부해 보시면 원인 해결에 실마리를 찾지 않을지요? 부유 조건이 만족하지 않으면 전하 충전에 의한 self bias가 형성되지 않습니다. 여기서 부유 전위라면 플라즈마와 대면하고 있는 시편의 부도체 coating 표면도 포함이 되니 이 점 참고하시어 기본 현상에서 원인을 찾아 보시기를 추천드립니다.