Deposition 질문있습니다 교수님

2020.05.06 15:46

한필섭 조회 수:15059

안녕하세요. 이제 막 반도체 수업을 듣기시작한 학생입니다. 한 질문에 궁금증이 생겨 질문 남기게 되었습니다.

4인치 웨이퍼 기준 100nm 두께로 구리 등 금속 박막을 대량으로 하려면 어떻게 해야될까 인 부분이었습니다.

이때 제 생각으로는 CVD공정이 가장 적합한것이 아닌가? 라고 생각하면서도 각 공정마다 장단점이 있어 헷갈립니다.

PVD의 경우 증착속도가 느리고, ALD의 경우 낮은생산 성 등..

어떠한 공정이 가장 적합한 공정이 될 수 있는지 궁금합니다 감사합니다

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [113] 4931
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 16297
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 51252
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 63767
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [2] 83576
127 O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의 file 752
126 안녕하세요 OLED 증착 시 궁금한점이있어 문의드립니다 [2] 432
125 접착력을 위한 플라즈마 처리 관련 질문입니다 [1] 436
124 Vacuum Chamber(Etching) 내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계. [2] 633
123 [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] 1006
122 O2 Asher o-ring 문의드립니다. [1] 560
121 Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate [1] 1243
120 Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [1] 828
119 Dechucking과 He gas의 관계 질문입니다. [1] 723
118 Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] 803
» 질문있습니다 교수님 [1] 15059
116 CVD품질과 RF Delivery power 관계 질문 [1] 1032
115 안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [1] 3148
114 ICP-RIE process 및 plasma에 대해 질문있습니다. [2] 2410
113 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 1620
112 전자기장 및 유체 시뮬레이션 관련 [1] 414
111 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [1] 1086
110 PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [1] 1631
109 ICP, CCP 그리고 Ion Implantation 공정 관련 질문 드립니다. [1] 841
108 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 2416

Boards


XE Login