번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [85] 2302
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 12790
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 49615
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 61094
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [2] 78906
26 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [1] 867
25 RIE 공정시에 형성되는 두 효과를 분리해 보고 싶습니다. [1] 560
24 etching에 관한 질문입니다. [1] 1261
23 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 4639
22 Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] 1664
21 PR wafer seasoning [1] 2330
20 wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [1] 1129
19 Plasma etcher particle 원인 [1] 1861
18 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 3542
17 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. 706
16 ICP와 CCP의 차이 [3] 10416
15 RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] 1910
14 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] 2658
13 RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [4] 4764
12 poly식각을 위한 조언 부탁드립니다. file 1166
11 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] 3440
10 안녕하세요 반도체 공정 중 용어의 개념이 헷갈립니다. [1] 10610
9 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2] 3182
8 N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요 [2] 23114
7 Dry Etcher 에 대한 교재 [1] 22206

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