안녕하세여

ETCH 공정 관련된 일을 하고 있습니다

임피던스 매칭에 대하여 공부를 하고 있는데

제너레이터의 임피던스와 챔버의 임피던스를 매칭 시켜 REFLECT POWER 가 발생하지 않도록 하는데

임피던스에는 실수부와 저항부가 있다고 알고 있습니다.

통상적으로 PLASMA 에서 사용하는 저항은 50 옴인데 제너레이터의 저항이 50옴 이라는 것인가요??

제너레이터의 저항도 임피던스라면 허수부가 존재할 것이라고 생각해서 50옴 + 허수부 저항도 있진 않을지 궁금합니다. 아니면 제너레이터의 저항은 coxial cable 의 저항만을 의미하는 것일까요?? 

또, 챔버에서 저항은 매쳐와 하나가 되어 변화될텐데 매쳐가 실수부 또한 변경 가능한지 궁금합니다.

챔버 내의 PARTS가 식각이 된다면 챔버의 R 값은 변화할텐데 매쳐의 TUNE, CAP 은 허수부의 REACTANCE 값만

변화시킨다고 알고 있습니다. 매쳐가 실수부 R 의 값을 변화시키지 못한다면 아무리 매쳐가 일을 한다하더라도 

챔버 내 PARTS들의 식각에 의해 임피던스가 틀어지고, REFLECT 가 뜨진 않을지 궁금합니다.

스미스차트상 capacitance 혹은 inducrance 를 변경하면 실수부도 변화가 되는 거 같아 보이는데

실수부도 같이 변화가 되는 걸까요??

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] 76726
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20172
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57166
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68696
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92274
769 스미스차트의 저항계수에 대한 질문드립니다 68
768 Etch Plasma 관련 문의 건.. [1] 232
767 챔버 내 전자&이온의 에너지 손실에 대해 [1] 123
766 RF 반사와 전기에서 쓰이는 무효전력 반사 차이점이 궁금합니다. [1] 80
765 FTIR분석을 이용한 SiO2성막 해석 169
764 플라즈마 에너지가 온도를 높혀주는 역할 [1] 318
763 ICP 방식에서 RF Foward Power를 상향하면 ER이 빨라지는 이유 [1] 351
762 AP plasma 공정 관련 문의 [1] 197
761 Cu migration 방지를 위한 스터디 [1] 205
760 PECVD설비 Matcher 아킹 질문 [2] 547
759 Remote plasma source의 주파수 400kHz 이유 [1] 547
758 DBD 플라즈마 작동 시 유전체에 가해지는 데미지 [1] 136
757 CCP 설비 Capacitance 및 Impedance 변화에 따른 Vpp 변동성 문의 [2] 405
756 플라즈마를 이용한 물속 세균 살균 질문드립니다. [1] 189
755 gas에 따른 deposition rate 및 저항질문 있습니다 [1] 250
754 PECVD Uniformity [1] 502
753 플라즈마를 알기 위해선 어떤 과목을 공부해야 할까요? [1] 634
752 대기압 플라즈마 문의드립니다 [1] 248
751 standing wave effect, skin effect 원리 [1] 358
750 Plasma 장비 소재 특성 관련하여 문의드립니다. [1] 306

Boards


XE Login