Deposition 기판 위에서 Radical의 운동역학에 관하여 질문드립니다.
2019.05.22 16:11
안녕하세요. 반도체 회사에 근무중인 회사원 입니다.
다름이 아니고 PECVD로 박막 증착 시 Radical들의 움직임에 관해 궁금한 점이 있어서 글을 올립니다.
Radical이 Wafer위에서 migration후 반응하여 island를 만들고 그 섬들이 성장하여 박막을 형성하는 것으로 알고 있는데
Radical이 가지는 에너지, 기판의 온도, 기판을 이루는 물질과의 결합에너지 등을 통해 Radical이 기판위에서
평균적으로 얼마나 움직이는지, 어느 위치를 안정적인 site로 인식하고 반응하는지 등을 알 수 있을까요?
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] | 76726 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20178 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57166 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68697 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92275 |
769 | 스미스차트의 저항계수에 대한 질문드립니다 | 68 |
768 | Etch Plasma 관련 문의 건.. [1] | 232 |
767 | 챔버 내 전자&이온의 에너지 손실에 대해 [1] | 123 |
766 | RF 반사와 전기에서 쓰이는 무효전력 반사 차이점이 궁금합니다. [1] | 80 |
765 | FTIR분석을 이용한 SiO2성막 해석 | 169 |
764 | 플라즈마 에너지가 온도를 높혀주는 역할 [1] | 318 |
763 | ICP 방식에서 RF Foward Power를 상향하면 ER이 빨라지는 이유 [1] | 351 |
762 | AP plasma 공정 관련 문의 [1] | 197 |
761 | Cu migration 방지를 위한 스터디 [1] | 205 |
760 | PECVD설비 Matcher 아킹 질문 [2] | 548 |
759 | Remote plasma source의 주파수 400kHz 이유 [1] | 547 |
758 | DBD 플라즈마 작동 시 유전체에 가해지는 데미지 [1] | 136 |
757 | CCP 설비 Capacitance 및 Impedance 변화에 따른 Vpp 변동성 문의 [2] | 405 |
756 | 플라즈마를 이용한 물속 세균 살균 질문드립니다. [1] | 189 |
755 | gas에 따른 deposition rate 및 저항질문 있습니다 [1] | 250 |
754 | PECVD Uniformity [1] | 503 |
753 | 플라즈마를 알기 위해선 어떤 과목을 공부해야 할까요? [1] | 634 |
752 | 대기압 플라즈마 문의드립니다 [1] | 248 |
751 | standing wave effect, skin effect 원리 [1] | 358 |
750 | Plasma 장비 소재 특성 관련하여 문의드립니다. [1] | 307 |
제가 이 분야에 문외한이어서, 서울대학교 재료공학과의 황농문 교수님 혹은 성균과대학교 기계공학부의 김태성 교수님에게 문의드려 보시면 좋은 답변을 얻으실 수 있을 것 같습니다.