안녕하세요. 반도체 회사에 재직중인 장비엔지니어 입니다.

 

에칭을 진행하는 특정 공정에서 특정 Step을 진행하는 중간에

 

60Mhz만 Ref가 튀면서 Bias Power도 튀는 현상이 있습니다..

 

27Mhz, 2Mhz도 사용하지만 해당 Power의 Ref는 정상이구요..

 

매쳐나 Generator를 바꿔봐도 현상이 똑같은거보면 chamber 내부에서 분위기가 달라지면서 발생하는 현상일 것 같은데

 

어떤 이유들이 이런 현상을 일으킬 수 있을까요..?

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [46] 963
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 748
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 49342
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 58726
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [1] 72991
607 공정 진행 중 의도적인 섭동 효과에 대해서 질문 드립니다. [1] 102
606 CVD 공정에서의 self bias [1] 380
605 PP & PET 친수성과 접착성 유지 질문입니다. [1] 1587
604 잔류시간 Residence Time에 대해 [1] 137
603 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 답변 정말 감사합니다! 1313
602 ESC Polymer cracking 제거를 위한 ISD 공정 문의 138
» 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 어떤 이유들이 있을까요..? [2] 264
600 CCP에서 접지된 전극에 기판을 놓았을 때 반응 [1] 196
599 Edge ring과 플라즈마 밀도 균일성 [1] 281
598 [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] 322
597 매칭시 Shunt와 Series 값 [1] 279
596 RF Power와 균일도 연관성 질문드립니다. [2] 398
595 구 대칭으로 편광된 전자기파를 조사할 때에 대한 질문입니다. [1] file 87
594 CCP에서 전극에 쌓이는 막질에 의한 Capacitance 변화가 궁금합니다 [1] 326
593 low pressure 영역에서 아킹이 더 쉽게 발생하는 이유에 관해 문의드립니댜. [1] 501
592 안녕하세요? 임피던스 매칭관련 질문드립니다. [1] 446
591 electron energy distribution에 대해서 질문드립니다. [2] 175
590 안녕하세요 플라즈마의 원초적인 개념에서 궁금한 점이 생겨서 질문드립니다. [1] 360
589 플라즈마 에칭 과 표면처리 의 차이점 질문드립니다. [1] 264

Boards


XE Login